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力推5G!恩智浦全新氮化??晶圆厂年底产能将满载
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 报导】   2020年10月12日 星期一

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恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)宣布正式启用其位於美国亚利桑那州钱德勒(Chandler)的150毫米(6寸)射频氮化??(Gallium Nitride;GaN)晶圆厂,此为美国境内专注於5G射频功率放大器的最先进晶圆厂。

恩智浦透过全新150毫米(6寸)晶圆厂及其在功率密度、增益和线性化效率方面累积20年的氮化??(GaN)开发知识,打造了美国境内最先进的射频氮化??晶圆厂
恩智浦透过全新150毫米(6寸)晶圆厂及其在功率密度、增益和线性化效率方面累积20年的氮化??(GaN)开发知识,打造了美国境内最先进的射频氮化??晶圆厂

全新工厂结合恩智浦身为射频功率产业领导者的专业知识及大规模量产(high-volume manufacturing)专业技术,实现创新,有助於支援5G基地台和先进通讯基础设施在工业、航空航太和国防市场的扩展。

恩智浦高阶主管与联邦、州、地方政府官员叁加开幕典礼并发表主题演讲,包含美国亚利桑那州叁议员Kyrsten Sinema和Martha McSally、众议院议员Greg Stanton、亚利桑那州州长Doug Ducey、钱德勒市市长Kevin Hartke、美国商务部主管国际贸易的??次长Joseph Semsar,以及荷兰驻美大使Andre Haspels。

恩智浦半导体总裁暨执行长Kurt Sievers在主题演讲中表示:「今日象徵着恩智浦的重要里程碑。透过在亚利桑那州建立此先进厂房与吸引关键人才,让我们能够更聚焦於发展氮化??技术,将其作为推动下一代5G基地台基础建设的一部分。」

5G新黄金标准:氮化??(GaN)

随着5G的发展,射频解决方案中每个天线所需的功率密度呈指数级增长,但仍需保持相同的主机壳尺寸,并降低功耗。氮化??功率电晶体已成为满足这些严格要求的新黄金标准,能够大幅提高功率密度和效率。

恩智浦拥有近20年的氮化??开发专业知识和广泛的无线通讯产业知识,将使其引领下一波5G蜂巢扩展浪潮。恩智浦已针对氮化??技术进行深度最隹化,改善半导体中的电子陷阱(electron trapping)问题,藉由一流的线性度提供高效率和增益,致力为恩智浦的客户生产最高品质的氮化??装置。

恩智浦长期客户爱立信(Ericsson)网路开发部主管Joakim Sorelius表示:「我们致力提供产业领先的产品,为客户提供最大价值,而功率放大器在无线电技术中发挥重要的作用。与爱立信近期在美投资类似,我们很高兴看到恩智浦在半导体制程开发方面进行投资,并将继续致力为未来的高要求无线电网路提升射频系统效能。」

恩智浦长期推动氮化??创新 建造先进晶圆厂

恩智浦建立内部氮化??晶圆厂的策略是由其透过运用在蜂窝基础设施设计中的核心竞争力、大规模量产(high-volume manufacturing)的可靠经验,以及在整体品质流程展现的一致性和领导力来实现更高效能优势的能力所推动。

恩智浦半导体执行??总裁暨无线电功率业务部总经理Paul Hart表示:「我对於在钱德勒开设新工厂感到非常高兴,这突显恩智浦对於氮化??和通讯基础建设市场数十年来的承诺。我要感谢客户多年来的合作以及整个恩智浦团队的努力,恩智浦团队向来致力於建造世界上最先进的射频氮化??晶圆厂,该晶圆厂的能力可扩展至6G甚至更高。」

恩智浦运用其位於钱德勒的团队在化合物半导体制造领域长期的专业知识。亚利桑那州州长Doug Ducey表示:「藉由位於钱德勒的全新最先进的制造设施,亚利桑那州将扩大其作为高科技制造中心和5G创新的领导者。我们感谢恩智浦为亚利桑那州带来更多就业机会和投资。」

工厂亦将作为创新中心,促进晶圆厂与恩智浦现场研发团队之间的协作。恩智浦工程师现在可以针对当前和未来氮化??装置,加速开发、验证并保护创新,进而缩短整个产业的创新周期。

恩智浦位於钱德勒的全新氮化??晶圆厂现已通过认证,首批产品将持续推出上市,预计至2020年底达到产能满载。

關鍵字: 氮化镓  5G  NXP 
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