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三星推出第三代HBM2E记忆体 使用8层10奈米堆叠
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 报导】   2020年02月05日 星期三

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三星电子日前宣布,推出名为「Flashbolt」的第三代高频宽记忆体2E(HBM2E)。第三代的产品容量高达16 GB,适合最高性能需求的HPC系统,例如以AI为核心的数据分析与先进的图形系统。

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Flashbolt比前一代8GB HBM2「Aquabolt」容量高两倍,还可以显着提高性能和电源效率,从而显着改善下一代计算系统。透过在缓冲晶片顶部垂直堆叠八层10nm级(1y)16 GB DRAM裸晶,实现了16GB的容量。

新的HBM2E封装以多达4万个TSV微凸点的精确排列进行互连,而每个16GB裸晶均包含5,600多个细微的小孔。

三星的Flashbolt提供了每秒3.2 Gbps的数据传输速度,同时每个堆栈提供410GB / s的频宽。三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度,是目前最高的测试数据速率。

三星预计将在今年上半年开始量产。该公司将继续提供其第二代Aquabolt产品阵容,同时扩展其第三代Flashbolt产品。

關鍵字: 記憶體  三星 
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