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ANSYS完成最新台积电5奈米FinFET制程技术认证
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年04月23日 星期二

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台积电和ANSYS支援新世代应用电源完整性和可靠度多物理场解决方案

台积电(TSMC)和ANSYS(NASDAQ: ANSS)透过全新认证和完整半导体设计解决方案,帮助共同客户满足新世代行动、网路、5G、人工智慧 (AI)、云端和资料中心应用持续增长的创新需求。

这些尖端应用的进步持续推动电源与热限制环境中的效能极限。尤其在AI应用部分,包括云端与边缘运算的训练及资料推论,都需要功率更高且功能更强大的高效能处理器。

台积电针对其最新5奈米 (nm) FinFET制程技术进行了ANSYSR RedHawk和ANSYS Totem 多物理场 (multiphysics)解决方案的认证。这些认证包括萃取(extraction)、电源完整性和可靠度、讯号电子迁移 (electromigration;EM) 和热可靠度分析、以及统计EM预算 (SEB) 分析。这些认证最隹化行动和高效能运算 (HPC) 应用,支援台积电最先进制程技术的低耗电解决方案。

台积电设计基础架构行销事业部资深协理Suk Lee(senior director, design infrastructure management division)表示:「ANSYS解决方案针对台积电领先业界的5奈米FinFET、7奈米、以及7奈米FinFET Plus制程认证,让我们共同客户因应不断增长的效能、可靠度和电源挑战更有信心地确认并认证其设计。我们和ANSYS合作的成果丰硕,主要帮助客户在尖端AI、资料中心、云端和行动应用方面等高成长市场获得成功。」

ANSYS总经理John Lee表示:「多物理场分析支援7nm及更小的FinFET晶片设计。我们很荣幸能与台积电合作,提供解决方案帮助我们共同的客户达成对於电源、效能、晶片面积和可靠度的目标。」

關鍵字: 5奈米  FinFET制程  ANSYS  台積電 
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