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BREWER SCIENCE:超薄晶圆挑战巨大 过程需保持其完整性
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 报导】   2019年10月07日 星期一

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在超薄晶圆打薄的过程中,将面对的主要挑战有以下几点。首先是引起应力的广泛性热循环、热膨胀系数(CTE)失配、机械研磨、金属沉积过程等;再来是物品的化学抗性,包括光刻用溶液、金属蚀刻化学品、一般清洗溶剂等。而物品的化学相容性则需注意包括金属、EMC、聚??亚涞等。

薄晶圆必须和临时解键合材料键合以保持完整性,同时保证解键合过程不会太长或太难。
薄晶圆必须和临时解键合材料键合以保持完整性,同时保证解键合过程不会太长或太难。

镭射解键合是最先进的解键合技术之一,然而在过程中也会产生许多问题。接合材料可提供适当的黏着性,可接合并同时支撑两个基材,以利晶圆堆供下游处理,而且保持与雷射剥离材料交互作用的能力,以便加工後在需要时选择性剥离。玻璃载体上的晶圆涂有雷射剥离材料,该雷射剥离材料的光学密度可将雷射辐射限制在载体表面附近,进而防止雷射能量接触元件晶圆。结合两种精心设计的材料,可提供大幅减少晶圆弯曲的机械稳定性以及热稳定性,因此能以背面制程进一步支撑晶圆堆。

BREWER SCIENCE指出,在先进封装制程中,大部分晶圆应用皆可利用机械或雷射剥离技术;若为面板级制程(PLP),雷射剥离则是首选剥离技术。机械和雷射剥离两种方法都有在室温进行(相对於在高温进行以软化接合材料的热滑动剥离)、为低应力技术,以及在剥离期间能够支撑薄化元件晶圆/面板支撑等优点,在移除载体基材後可增加机械完整性。相较於机械剥离的每小时 20 个晶圆,雷射剥离的每小时 50 个晶圆具有较高生产能力。当元件基材剥离後,将需要清洗。可用的选项包括化学清洁,电浆清洁或剥离程序。

在整个过程中,薄晶圆必须和临时解键合材料键合以保持完整性,同时保证解键合过程不会太长或太难,然而过程中有些要求必须被满足。基本上,与机械或雷射剥离一起使用时,剥离材料有助於加速剥离过程。临时接合技术的最终目标,是在下游制程完成时,从支持载体选择性剥离。BREWER SCIENCE的剥离材料专为搭配接合材料运作,以在处理晶圆时提供机械和热支持,并使晶圆堆在正确的介面处剥离。

關鍵字: BREWER SCIENCE 
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