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ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2021年11月04日 星期四

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意法半导体(STMicroelectronics)新推出之STGAP2SiCSN是为控制碳化矽MOSFET而优化的单通道闸极驱动器,其采用了节省空间的窄体SO-8封装,具备稳定的效能和精准的PWM控制。

意法半导体的稳定的隔离式SiC闸极驱动器,采用窄型SO-8封装节省空间
意法半导体的稳定的隔离式SiC闸极驱动器,采用窄型SO-8封装节省空间

SiC功率技术被广泛使用于提升功率转换效率,而STGAP2SiCSN SiC驱动器可简化节能型电源系统、驱动和控制电路设计以节省空间,并加强稳定性和可靠性。目标应用包括电动汽车充电系统、开关模式电源、高压功率因数校正器(PFC)、DC/DC转换器、不断电供应系统(UPS)、太阳能发电、马达驱动设备、风扇、工厂自动化、家电,以及电磁感应加热器。

STGAP2SiCSN在闸极驱动通道和低压控制之间具备了电气隔离,在高压轨上可承受高达1700V 的电压。输入到输出传送时间低于75ns,确保PWM高精度的控制,以及±100V/ns共模瞬态抗扰度(CMTI) 确保开关可靠性。内建保护功能,包括欠压锁定和热关机,欠压锁定(UVLO)透过阈值电压防止SiC电源开关在低效能或不安全条件下运作。在侦测到接面温度过高后,热关机降低驱动器的两个输出。

新产品提供两种配置选择,独立多输出可以使用外部电阻个别最佳化的导通和关断时间,而单输出配置具有米勒钳位(Miller clamp)功能,可以增强高频硬开关应用的稳健性,利用米勒钳位防止功率开关过度振荡。

STGAP2SiCSN逻辑输入相容最低3.3V的TTL和CMOS逻辑讯号,其简化了与主微控制器或DSP处理器的连线。在最高26V的闸极驱动电压下,驱动器的最大灌电流和拉电流均为4A。晶片上结合自举二极体可简化设计并提升可靠性,关断模式有独立输入脚位,有助于最大限度地降低系统功耗。

STGAP2SiCSNTR现已上市,其采用 5mm x 4mm窄体SO-8N封装。

關鍵字: SiC  GaN  ST 
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