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蔡司3D X-ray量测方案 加速先进半导体封装产品上市时程
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 报导】   2019年09月17日 星期二

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蔡司(ZEISS)推出次微米解析度3D非破坏性的成像解决方案「蔡司Xradia 620 Versa RepScan」,能透过检验与量测功能加速先进IC封装的上市时程。Xradia 620 Versa RepScan运用3D X-ray显微镜(XRM),透过蔡司的远距高解析(RaaD)技术与精密的分析软体,能为深埋在最先进封装内的晶片提供完整的体积与线性量测,此方法远超过使用物理横切面、2D X-ray及microCT等既有量测方式所能及。蔡司Xradia 620 Versa RepScan能提供更精准的资料结果,是缩短先进封装的开发与良率学习周期最有利的机台。

图右为蔡司半导体制造技术(SMT)资深行销总监Raleigh Estrada、左为制造技术业务发展总监Thomas Gregorich
图右为蔡司半导体制造技术(SMT)资深行销总监Raleigh Estrada、左为制造技术业务发展总监Thomas Gregorich

蔡司Xradia 620 Versa RepScan支援复杂的小间距3D架构之设计验证、产品开发、制程最隹化与品保/品管(QA/QC),包含2.5D中介层(Interposer)、具备矽穿孔(TSV)与微凸块(microbump)的高频宽记忆体堆叠、层叠封装(package-on-package)互连及单一堆叠中内含多晶片的超薄记忆体。

3D封装领域面临的量测挑战

在今日,行动与高效装置对於微缩以及传输效能的需求不断提高,使得业界在高密度多晶片架构的许多创新,而这些设计也带动封装技术迈入立体化,使得制程的量测技术成为是否能推出新颖且先进技术的关键,而这些技术的制程宽容度(process margin)通常较低或较难被控制。然而,现今先进封装中因目标物太小,已无法用2D X-ray与microCT这类非破坏性的方法来观测。此外,物理横切面除了无法提供3D立体资料之外,还属於破坏性量测,较为耗时,通常也只能处理少量样本,就统计层面来说,改进制程控制的成效有限。

在3D封装的新时代需要新的方法,在可靠的传输量下量测深埋在内的互连结构和其他关键制程,以加速新产品的上市时程。近十年来,蔡司Xradia Versa 3D XRM系统已成为半导体封装非破坏性失效分析的标准;如今蔡司Xradia 620 Versa RepScan为Versa平台增添新功能,为深埋在先进封装内的关键晶片提供线性及体积量测功能,造就更好的制程、更快的学习周期及更高的良率。

關鍵字: ZEISS 
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