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力推5G!恩智浦全新氮化鎵晶圓廠年底產能將滿載
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 報導】   2020年10月12日 星期一

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恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)宣佈正式啟用其位於美國亞利桑那州錢德勒(Chandler)的150毫米(6吋)射頻氮化鎵(Gallium Nitride;GaN)晶圓廠,此為美國境內專注於5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠。

恩智浦透過全新150毫米(6吋)晶圓廠及其在功率密度、增益和線性化效率方面累積20年的氮化鎵(GaN)開發知識,打造了美國境內最先進的射頻氮化鎵晶圓廠
恩智浦透過全新150毫米(6吋)晶圓廠及其在功率密度、增益和線性化效率方面累積20年的氮化鎵(GaN)開發知識,打造了美國境內最先進的射頻氮化鎵晶圓廠

全新工廠結合恩智浦身為射頻功率產業領導者的專業知識及大規模量產(high-volume manufacturing)專業技術,實現創新,有助於支援5G基地台和先進通訊基礎設施在工業、航空航太和國防市場的擴展。

恩智浦高階主管與聯邦、州、地方政府官員參加開幕典禮並發表主題演講,包含美國亞利桑那州參議員Kyrsten Sinema和Martha McSally、眾議院議員Greg Stanton、亞利桑那州州長Doug Ducey、錢德勒市市長Kevin Hartke、美國商務部主管國際貿易的副次長Joseph Semsar,以及荷蘭駐美大使Andre Haspels。

恩智浦半導體總裁暨執行長Kurt Sievers在主題演講中表示:「今日象徵著恩智浦的重要里程碑。透過在亞利桑那州建立此先進廠房與吸引關鍵人才,讓我們能夠更聚焦於發展氮化鎵技術,將其作為推動下一代5G基地台基礎建設的一部分。」

5G新黃金標準:氮化鎵(GaN)

隨著5G的發展,射頻解決方案中每個天線所需的功率密度呈指數級增長,但仍需保持相同的主機殼尺寸,並降低功耗。氮化鎵功率電晶體已成為滿足這些嚴格要求的新黃金標準,能夠大幅提高功率密度和效率。

恩智浦擁有近20年的氮化鎵開發專業知識和廣泛的無線通訊產業知識,將使其引領下一波5G蜂巢擴展浪潮。恩智浦已針對氮化鎵技術進行深度最佳化,改善半導體中的電子陷阱(electron trapping)問題,藉由一流的線性度提供高效率和增益,致力為恩智浦的客戶生產最高品質的氮化鎵裝置。

恩智浦長期客戶愛立信(Ericsson)網路開發部主管Joakim Sorelius表示:「我們致力提供產業領先的產品,為客戶提供最大價值,而功率放大器在無線電技術中發揮重要的作用。與愛立信近期在美投資類似,我們很高興看到恩智浦在半導體製程開發方面進行投資,並將繼續致力為未來的高要求無線電網路提升射頻系統效能。」

恩智浦長期推動氮化鎵創新 建造先進晶圓廠

恩智浦建立內部氮化鎵晶圓廠的策略是由其透過運用在蜂窩基礎設施設計中的核心競爭力、大規模量產(high-volume manufacturing)的可靠經驗,以及在整體品質流程展現的一致性和領導力來實現更高效能優勢的能力所推動。

恩智浦半導體執行副總裁暨無線電功率業務部總經理Paul Hart表示:「我對於在錢德勒開設新工廠感到非常高興,這突顯恩智浦對於氮化鎵和通訊基礎建設市場數十年來的承諾。我要感謝客戶多年來的合作以及整個恩智浦團隊的努力,恩智浦團隊向來致力於建造世界上最先進的射頻氮化鎵晶圓廠,該晶圓廠的能力可擴展至6G甚至更高。」

恩智浦運用其位於錢德勒的團隊在化合物半導體製造領域長期的專業知識。亞利桑那州州長Doug Ducey表示:「藉由位於錢德勒的全新最先進的製造設施,亞利桑那州將擴大其作為高科技製造中心和5G創新的領導者。我們感謝恩智浦為亞利桑那州帶來更多就業機會和投資。」

工廠亦將作為創新中心,促進晶圓廠與恩智浦現場研發團隊之間的協作。恩智浦工程師現在可以針對當前和未來氮化鎵裝置,加速開發、驗證並保護創新,進而縮短整個產業的創新週期。

恩智浦位於錢德勒的全新氮化鎵晶圓廠現已通過認證,首批產品將持續推出上市,預計至2020年底達到產能滿載。

關鍵字: 氮化鎵  5G  NXP(恩智浦
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