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GTAT和安森美半導體簽署SiC材料供應協議 提高寬能隙材料供應
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年03月19日 星期四

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GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semiconductor),宣佈執行一項為期五年的協議,總價值可達5,000萬美元。根據該協定,GTAT將向高能效創新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX 碳化矽(SiC)材料,用於高增長市場和應用。

GTAT總裁暨首席執行官Greg Knight表示:「我們很高興與安森美半導體合作,該公司是提供電力電子應用的先進半導體公認全球領袖之一。我們今天的協議有助於解決SiC作為電力電子應用首選半導體基板材料的陡峭增長軌跡。」

安森美半導體全球供應鏈高級副總裁Brent Wilson表示:「安森美半導體在大批量晶圓生產的40年經驗結合GTAT在SiC晶體增長的專知及迅速發展,將創建一個強固、可擴展的供應鏈,支持活躍的大功率寬能隙市場。我們很高興與GTAT合作,進一步開發SiC寬能隙材料技術,並增強我們在這快速發展領域的領先地位。」

高增長應用如電動汽車(EV)牽引系統、混合動力和插電式EV、太陽能和能源存儲,以及EV充電等都需要並且依賴於高品質、具成本競爭力的SiC材料的穩定供應。 安森美半導體將使用GTAT專有的150mm SiC晶體來製造SiC晶圓,以進一步加速成為SiC供應鏈中的垂直整合供應商,並維持其世界級的供應。 該協議將促進領先業界的SiC的供應,以幫助工程師解決最獨特的設計挑戰。

關鍵字: 碳化矽  安森美半導體 
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