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盛美半导体推出先进储存器应用之18腔单晶圆清洗设备
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2020年07月09日 星期四

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新型Ultra C VI系?充分利用盛美已被验证的多腔体技术,为储存器制造商提高产能并降低成本。

先进半导体设备供应商盛美半导体设备近日发布Ultra C VI单晶圆清洗设备,此为Ultra C清洗系列的新品。Ultra C VI旨在对动态随机存取储存器(DRAM)和3D NAND闪存晶圆进行高产能清洗,以实现缩短储存产品的生产周期。这款新品以盛美成熟的多腔体技术为基础,进一步扩展了清洗设备产品线。Ultra C VI系统配备了18个单片清洗腔体,对比盛美现有的12腔设备Ultra C V系统,其腔体数及产能增加了50%,而其设备宽度不变只是设备长度有少量增加。

「储存产品的复杂度不断提高,但仍然对产量有严格的要求。」盛美董事长王晖博士表示:「当清洗制程的时间逐渐加长或开始采用更复杂的乾燥技术时,增加清洗腔体有效解决产能问题,使先进储存装置制造商保持甚至缩短产品的生产周期。我们的18腔清洗设备将是解决这类问题的利器。Ultra C VI平衡了腔体数量配置,在实现高产能(wafer-per-hour)的同时,兼顾了与工厂自动化能力的匹配,同时也避免因腔体数量过多而面临的设备挎机压力。」

Ultra C VI可进行低至1y节点及以下节点的先进DRAM产品和128层及以上层数的先进3D NAND产品的单晶圆清洗。该设备可根据应用及涉及的化学方法运用於各种前道和後道制程,如聚合物去除、中段钨或後段铜制程的清洗、沈积前清洗、蚀刻後和化学机械抛光(CMP)後清洗、深沟道清洗和RCA标准清洗。

清洗过程中可使用多种化学组合,包括标准清洗(SC1,SC2)、氢氟酸(HF)、臭氧去离子水(DI-O3)、稀硫酸双氧水混合液(DSP,DSP +)、有机溶剂或其他制程化学品等。最多可对其中两种化学品进行回收,节约成本。

该设备还可以采用可选的物理辅助清洗方法,例如二流体氮气雾化水清洗或者盛美专有的空间交变相位移(SAPS)和时序能激气穴震荡(TEBO)兆声清洗技术。可选配异丙醇(IPA)干燥功能,应用於具有高深宽比的图形片。此外,由於该设备与盛美现有设备的宽度一致,因此有助於提高晶圆厂的空间利用率,并进一步降低成本。

盛美计划在2020年第三季度初期交付Ultra C VI给一家储存制造厂进行评估和验证。

關鍵字: 单晶圆清洗设备  盛美半导体 
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