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英飞??推出分离式CoolSiC MOSFET模组化评估平台 助碳化矽成为主流
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年05月25日 星期一

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双脉冲测试是设计人员要了解功率装置切换特性的标准程序。为方便测试1200V CoolSiC MOSFET采用TO247 3针脚和4针脚封装的驱动选项,英飞凌科技推出模组化评估平台,其核心包含一个主板与可互换的驱动器卡板,驱动器选项包括米勒钳制和双极供电卡;其他版本将於近期内推出。该产品系列有助於推动碳化矽成为主流,缩短多种应用的上市时程。

该主板设计的最高电压为800V,最大脉冲电流为130A。如要测量到最高175。C的温度,可将散热器搭配加热元件使用。
该主板设计的最高电压为800V,最大脉冲电流为130A。如要测量到最高175。C的温度,可将散热器搭配加热元件使用。

评估平台的主板分为一次侧和二次侧两个区块。一次侧含12V供电及脉冲宽度调变(PWM);二次侧为驱动器的第二供电来源,以及包含用於测量电流和外部电感分流连接的半桥。驱动器的正操作电压调整范围介於+7.5至+20V之间,负电压介於+1V至-4.5V。主板设计的最高电压为800V,最大脉冲电流为130A。如要测量到最高175。C的温度,可将散热器搭配加热元件使用。

驱动器卡板采用EiceDRIVER系列的驱动器IC,适合 SiC 功率装置的高频切换,可提供两种驱动器选项的叁考设计。第一个模组化驱动器卡板内含1EDC Compact 1EDC20I12MH,整合主动米勒钳制,启动电压通常低於2V。第二个驱动器卡板内含1EDC Compact 1EDC60H12AH,可提供双极供电,VCC2为+15 V,GND2为负电压。本产品系列新添这两款驱动器卡板後,将涵盖设计人员在设计SiC MOSFET驱动时偏好使用的绝大多数选项。

模组化评估平台的三项元件:主板、米勒钳制及双极驱动器卡板已开放订购。本产品系列将在2020年夏季再添一款用於侦测短路的驱动器卡板。此外,今年下半年也预计推出用於SMD封装测试的驱动器卡板。

關鍵字: 碳化硅  英飞凌 
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