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格罗方德展示运用14nm FinFET制程技术的56Gbps长距离SerDes
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年12月14日 星期三

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格罗方德公司(GLOBALFOUNDRIES)宣布已证实运用14奈米FinFET制程在矽晶片上实现真正长距离56Gbps SerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分,FX-14具有 56Gbps SerDes,致力于为提高功率和性能的客户需求而生,亦为应对最严苛的长距离高性能应用需求而准备。

成熟的ASIC IP解决方案将大幅提高下一代高速应用的性能和能效?
成熟的ASIC IP解决方案将大幅提高下一代高速应用的性能和能效?

格罗方德56Gbps SerDes内核同时支援PAM4和NRZ讯号传导,可补偿超过 35dB 的插入损耗,因而无须在目前极具挑战性的系统内容中部署昂贵的高功耗中继器。 56Gbps SerDes采用突破性的创新架构,实现了先进的长距离传输性能,甚至超越了OIF CEI-56G-LR和IEEE 802.3cd等新兴的50Gbps行业标准。

FX-14 产品可提供多种高速 SerDes (HSS) 解决方案,其制造基础是位于纽约州马尔他市Fab 8 工厂内的成熟且经生产验证的 14奈米FinFET (14LPP) 平台。一流的高性能56Gbps架构可提供先进的抖动性能和均衡支援,可在多种高速介面标准下强化系统性能,并可为当前及未来的顶尖网路、运算和储存应用构建高速连接和低功耗的解决方案。

「这一里程碑彰显出我们能够设计出最佳化的ASIC 解决方案,并以极具竞争力的功率和晶片面积为最为严苛的网路和资料中心应用提供56Gbps性能。」格罗方德全球销售和业务开发部高级副总裁Mike Cadigan表示:「凭借成功且历经考验的SerDes开发和ASIC技术经验,并与格罗方德的14LPP技术完美结合,我们将助力客户通过集成且高性能的内核将新应用经济高效地推向市场。」

「网路频宽的爆发式提升,持续推动着具有领先的介面速度和密度的ASIC解决方案的需求,」林利集团(Linley Group) 首席分析师Bob Wheeler指出:「格罗方德可提供尖端SerDes 内核,实现一流ASIC 解决方案的快速上市,同时提高下一代网路设备的频宽容量、可扩充性和能效。」

凭借众多优势,诸如具有超高性能56Gbps SerDes、PCI Express和多个 30Gbps SerDes 设计,亦支援多种外置记忆体介面,格罗方德 FX-14 设计系统进一步巩固了公司在HSS 方面的地位。格罗方德的嵌入式记忆体解决方案包括行业最快和功耗最低的嵌入式TCAM,与前代产品相比,其性能提高60%,漏电率降低80%,而SRAM 的密度和性能也有所优化。

目前,客户正在设计基于14LPP制程技术的高级ASIC解决方案,该方案使用 56Gbps和其他FX-14 SerDes内核。 56Gbps SerDes技术目前正在客户管道中展示,而开发板将于20​​17年第一季度初投放市场。针对下一代资料通信网路,格罗方德正在开发易于迁移的先进电气解决方案和光学替代解决方案,以便让多种技术实现112Gbps及以上的通信能力。 (编辑部陈复霞整理)

關鍵字: ASIC  14奈米  FinFET制程  硅芯片  格罗方德  GLOBALFOUNDRIES  系統單晶片 
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