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意法半导体650V高频IGBT利用最新高速切换技术提升应用性能
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年05月13日 星期一

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意法半导体(STMicroelectronics)新推出之HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟槽式场截止(Trench Field Stop,TFS)技术,可提升PFC转换器、电焊机、不断电供应系统(Uninterruptible Power Supply,UPS)、太阳能逆变器等中高速应用设计的效能和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的车用产品。

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新款HB2系列属於STPOWER?产品家族,较低的1.55V VCEsat 饱和电压使导通性能更为出色;而更低的闸极电荷使其能够在低闸极电流状态下快速切换,提升动态切换性能;出色的散热功能则有助於最大限度地提升可靠性和功率密度,同时新系列亦是市面上极具竞争力的产品。

HB2系列IGBT针对内部二极体提供三个不同的选择:全额定二极体、半额定二极体或防止意外反向偏压的保护二极体,其为开发者提供更多的设计自由,还可以根据特定应用需求优化动态效果。

全新650V元件的首款产品40A STGWA40HP65FB2现已上市,其采用TO-247长线脚封装。

關鍵字: IGBT  st 
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