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英飞凌CoolSiC 肖特基二极体 1200 V G5 系列增添新封装
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年06月19日 星期三

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英飞凌科技扩充 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体系列,新增TO247-2 封装产品,可取代矽二极体并提供更高的效率。扩大的 8.7 mm 沿面与空间距离可为高污染环境提供额外的安全性。最高 40 A 的正向电流可满足电动车直流充电、太阳能系统、不断电系统 (UPS) 及其他工业应用的需求。

CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体产品组合具有同级产品中最隹的正向导通电压 (VF),以及在温度变化下增加幅度最少的 VF,以及最高突波电流能力。新产品采用 TO247-2 脚位封装。
CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体产品组合具有同级产品中最隹的正向导通电压 (VF),以及在温度变化下增加幅度最少的 VF,以及最高突波电流能力。新产品采用 TO247-2 脚位封装。

相较於使用矽二极体,以CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体结合矽 IGBT 或超接面 MOSFET,可提升高达 1% 的效能 (例如,用於三相转换系统的 Vienna 整流器级或 PFC 升压级)。因此,PFC 与 DC-DC 级的输出功率可大幅提升 40% 或更高。

除了可忽略不计的反向恢复耗损 (SiC 肖特基的特性) 之外,CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体产品组合还具有同级产品中最隹的正向导通电压,以及在温度变化下增加幅度最少的正向导通电压,以及最高突波电流能力。因此能以具有吸引力的价位,提供领先市场的效率与更高的系统可靠性。由於其优异的效率,额定值 10 A 的 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二极体可直接取代 30 A 矽二极体。

關鍵字: Infineon 
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