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英飞凌推出OptiMOS源极底置25V功率MOSFET 采用PQFN 3.3x3.3mm封装
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年02月18日 星期二

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英飞凌科技持续专注於解决现今电源管理设计面临的挑战,透过元件层级的强化实现系统创新。源极底置(Source Down)是符合业界标准的全新封装概念,英飞凌已推出首批基於该封装概念的功率MOSFET-采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS 25V。这款装置在MOSFET性能方面树立了新的产业标竿,不仅导通电阻降低,还具有业界领先的散热管理指标,其应用范围非常广泛,包括:马达驱动、SMPS(包括伺服器、电信和OR-ing)及电池管理等。

新封装概念将源极(而非传统的汲极)与导热片相连。除了实现新的PCB布局,更有助於实现更高的功率密度和性能。
新封装概念将源极(而非传统的汲极)与导热片相连。除了实现新的PCB布局,更有助於实现更高的功率密度和性能。

新封装概念将源极(而非传统的汲极)与导热片相连。除了实现新的PCB布局,更有助於实现更高的功率密度和性能。目前推出两种不同封装的版本:分别是源极底置标准闸极(Standard-Gate)和源极底置置中闸极(Center-Gate)的PQFN 3.3x3.3mm封装。源极底置标准闸极的封装是基於既有的 PQFN 3.3x3.3mm引脚输出组态。电子连接的位置保持不变,使得全新的源极底置封装能直接取代现行标准的汲极底置(Drain-Down)封装。另外针对置中闸极版本,其闸极引脚被移至中心位置,可轻松达成多个MOSFET并联。由於汲极到源极的沿面距离增加,因此可将多个装置的闸极连接到同一PCB层上。此外,将闸极连接移至中央位置还能使源极面积变大,亦有助於改善装置的电子连接。

这项创新技术可大幅降低导通电阻,较现行技术减少多达30%。相较於目前的PQFN封装,结壳热阻亦获得大幅改善。由於寄生效应降低,PCB耗损改善,加上出色的散热效能,新封装概念将为任何当代的工程设计带来更多附加价值。

两款采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS源极底置25V功率MOSFET目前已开始供应。

關鍵字: Infineon 
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