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英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET 新添PQFN封装40V装置
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年11月03日 星期二

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当代的电源系统设计需要高功率密度和精巧的外型尺寸,进而得到最高的系统级效能。英飞凌科技专注於强化元件级的系统创新,来应对上述挑战。继2月份推出25V装置後,英飞凌再推出OptiMOS 40V低电压功率MOSFET,采用源极底置(Source-Down;SD)的PQFN封装,尺寸为3.3 x 3.3mm2,适用於伺服器的SMPS、电信和OR-ing,还适用於电池保护、电动工具和充电器等应用。

OptiMOS SD 40V低电压功率MOSFET提供两种版本:标准版和中央闸极版。中央闸极版针对多部装置并联作业进行最隹化。
OptiMOS SD 40V低电压功率MOSFET提供两种版本:标准版和中央闸极版。中央闸极版针对多部装置并联作业进行最隹化。

英飞凌指出,SD封装的内部采用上下倒置的晶片,如此一来,源极电位(而非汲极电位)就能透过导热片连接至PCB。与现有技术相比,该封装最终可使RDS(on)锐减25%。

此外,与传统PQFN封装相比,接面与外壳间的热阻(RthJC)亦获得大幅改善。SD OptiMOS可承受高达194A的高连续电流。

经过最隹化的配置可能性和更有效的PCB利用,SD封装更可实现更高的设计灵活性与效能。

OptiMOS SD 40 V 低电压功率MOSFET提供两种版本:标准版和中央闸极版。中央闸极版针对多部装置并联作业进行最隹化。两个版本皆采用PQFN 3.3 x 3.3mm2封装,即日起接受订购。

關鍵字: MOSFET  Infineon 
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