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AE於SEMICON WEST 2020推三款全新制程设备电源产品
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年08月03日 星期一

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Advanced Energy(AE)致力於开发各种高精确度电源转换、测量和控制系统等解决方案。该公司今(3)日宣布推出三个可支援先进技术节点半导体晶圆制程设备的全新解决方案。

Advanced Energy半导体产品??总裁暨总经理Peter Gillespie表示「随着第四次工业革命揭开帷幕,半导体制造技术不断发展,并且迅速掀起翻天覆地的转变。在开发相关的电源解决方案时,Advanced Energy一直走在发展的前沿,我们的电源系统可确保半导体产品外形更为小巧,也让生产商可以更快速、更严格控制制程,而且又可降低拥有成本,因此厂商客户都很倚重我们这方面的技术生产各种晶片,新晶片的量产又带动整个资讯业的发展。」

Peter Gillespie进一步指出:「制程设备电源系统以前几??完全被人忽视,现在则越来越多人肯定其重要性,认为制程设备电源技术在整个晶圆生产过程中发挥极具关键的作用。我们很乐意分享我们这方面的产品,例如可支援整个制程的电源产品。我们也会在展览期内率先推出可支援整个平台的电源产品,其中包括Advanced Energy雅特生科技产品部的一系列电源产品。」

Advanced Energy推出的全新系统解决方案

.eVoS LE

Advanced Energy推出一项全新的非正弦波电浆制程设备电源供应技术。这个名为eVoS的平台可以控制投射在物料表面极少范围内的离子能量。这是先进蚀刻和沉积制程所越来越倚重的技术,可用於生产精密的5奈米(nm)及以下的晶圆。

一直以来,正弦波射频偏压电浆制程采用一种较为复杂的多频率电源系统,而eVoS平台则是一个产生离子能量分布较窄的客制化方案,提供另一个较简单的选择。Advanced Energy这个解决方案可确保离子能量分布范围更加直接受到控制,也有助於提高偏压电源的能效,而且可降低电源损耗,较传统的解决方案更优胜。晶圆的封装大小设计日趋复杂,要解决生产上的问题就必须充分利用这项新技术的优点。eVoS LE(LE即低能量)则可提供容易准确控制供电量的电源系统,最适用於极重要的电浆制程方面的应用,例如,原子层蚀刻(ALE)、蚀刻、清洁、沉积和原子层沉积(ALD)。

.Navigator II FCi

Advanced Energy表示,其Navigator II一直是领先业界的阻抗匹配网路平台,大受市场欢迎。而他们现在乘势推出一款全新的Navigator II FCi,这是一款更快的固态匹配网路平台,无论在价值、速度以及调频范围都进一步提升的匹配器产品。

Navigator II FCi采用高速的PIN型二极体技术,与Advanced Energy早前率先在市场推出的Navigator II FastCap固态匹配器各有优点,两者可产生相辅相成的作用,让功率输出和阻抗范围可以扩大,反应时间也可缩短至次毫秒(ms)水平。Navigator II FCi?有转动的零部件,因此其可靠性和可复制性优於传统的真空电容匹配器。

此外,Navigator II FCi可支援与原子层蚀刻有关的先进应用,并加强其功能,让这类应用可支援各式各样日渐增多的应用,以满足新产品市场的规格要求。例如,称为Paramount HFi的全新射频电源供应系统除了整合匹配器和产生器之外,也同样采用Navigator II FCi这种高速PIN型二极体技术。

.Paramount HFi

这款高度整合的射频电源系统采用小巧的封装,但效能高,成本低,可满足先进沉积工具的严格要求。2000年,Advanced Energy开发了可量产且全面整合产生器和匹配器的电源供应系统Apex,该射频电源供应系统至今仍是沉积射频应用方面的理想电源,其优点是可在四个不同调频范围之间切换。全新的Paramount HFi沿着这个路向再跨进一大步,提供32个不同调频范围,另外还配备一个改良的全数位控制系统以及一个全新的射频计量学(VI)感应器。

由於Paramount HFi配备这些新功能,加上另外还有扩大了的作业窗囗,因此除了可以支援先进的制程控制之外,还有高度可重复性的优点,甚至配备一个共激机模式,以确保采用丛集配置的不同系统可以同步作业,以及支援先进的通讯协定(EtherCAT)。

Advanced Energy表示,Paramount HFi具有体积小巧、以毫秒(ms)计的反应时间以及高度稳定可靠等优点,因此是目前快速沉积制程的理想解决方案。对於处理先进的NAND储存型快闪记忆体和其他高度重复的堆?元件来说,速度和可靠性越来越受重视,甚至被视为决定生产成败的关键因素。Paramount HFi便适用於这类应用。

關鍵字: SEMICON WEST  AE 
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