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意法半導體推出1500V超接面功率MOSFET讓電源應用環保又安全
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2015年11月09日 星期一

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意法半導體(STMicroelectronics,ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化,同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極(drain-to-source)崩潰電壓(breakdown voltage)的電晶體,並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中。

MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極崩潰電壓的電晶體...
MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極崩潰電壓的電晶體...

新產品鎖定電腦伺服器及工業自動化市場。伺服器要求更高的輔助開關式電源輸出功率,同時電源穩健性是讓伺服器最大幅度減少斷電停機時間的關鍵因素,焊接、工廠自動化等工業應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75W至230W之間或更高,超接面MOSFET技術的出色動態開關性能使其成為工業應用的最佳選擇。

意法半導體的MDmesh K5功率MOSFET系列將此項技術提升至一個全新的水準,單位面積導通電組(Rds(on)) 和柵極電荷量(Qg)均創市場最低,並擁有業界最佳的FoM (品質因素) 。新產品是目前主流電源拓撲的理想選擇,包括標準準諧振(quasi-resonant)與主動式箝位返馳轉換器以及LLC 半橋式轉換器,均要求寬輸入電壓、高能效(高達96%)以及輸出功率近200W的電源。

該系列先推出的兩款產品STW12N150K5及 STW21N150K5其最大漏源電流分別達到7A和14A,柵極電荷量僅有47nC(STW12N150K5)/導通電阻僅 0.9歐姆(STW21N150K5)。兩款產品均已量產,採TO-247封裝。

關鍵字: MOSFET  電晶體  超接面  漏極-源極  崩潰電壓  工業應用  ST(意法半導體電晶體 
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