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英飛凌推出行動基地台發射器專用的氮化鎵裝置
為5G蜂巢式基礎設施鋪路

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2015年10月02日 星期五

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【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出碳化矽(SiC)射頻功率電晶體的氮化鎵(GaN)系列產品。憑藉英飛凌的氮化鎵技術,該款新產品可協助行動基地台的製造商打造體積更小、功能更強大,且具彈性的發射器。相較於既有的射頻功率電晶體,新產品擁有高效率、更佳的功率密度與更大的頻寬,提升了建設基礎設備的經濟效益,有效支援現今的蜂巢式網路。此外,由於具備更高的資料傳輸量,因此強化了使用者經驗,為 5G 技術的轉型鋪路。

英飛凌新款氮化鎵裝置可協助行動基地台的製造商打造體積更小、功能更強大,且具彈性的發射器。
英飛凌新款氮化鎵裝置可協助行動基地台的製造商打造體積更小、功能更強大,且具彈性的發射器。

英飛凌射頻功率電晶體產品線副總裁暨總經理 Gerhard Wolf 表示:「新產品系列結合了創新與蜂巢式基礎架構需求的應用知識,為全球客戶提供新一代的射頻功率電晶體。它們不僅大幅提高作業效能,並減小行動基地台發射器端的體積。此外,隨著轉換至寬能隙半導體技術,讓我們引領著蜂巢式基礎架構的持續演進。」

新射頻功率電晶體運用氮化鎵技術的效能,比現今常見的 LDMOS 電晶體效率提升百分之十,功率密度更達五倍。這意味著,今日所使用基地台發射器(操作頻率範圍在 1.8 至 2.2 GHz 或 2.3 至 2.7 GHz)的功率放大器(PA)在同樣的功率需求下只需更小的體積。未來碳化矽基板氮化鎵(GaN on SiC)產品亦將支援頻率範圍高達 6 GHz 的 5G 行動頻帶。這樣的發展藍圖確保英飛凌能立足於長久的專業知識和最先進的生產技術,穩健發展其射頻電晶體技術。

卓越的設計彈性加上支援 4G 次世代技術,是 GaN 裝置帶給射頻電晶體應用的另一項額外優勢。新產品擁有 LDMOS 兩倍的射頻頻寬,因此一台功率放大器就能支援多重操作頻率。同時,它們也提供發射器更大的瞬間頻寬,允許載體使用 4.5G 蜂巢式網路指定適用的資料聚合技術而提高傳輸量。工程樣品和參考設計已可提供予簽訂具體保密協議(NDA)之客戶。

關鍵字: 氮化鎵裝置  行動基地台  發射器  射頻功率  電晶體  Infineon(英飛凌Infineon(英飛凌系統單晶片 
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