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英飛凌推出OptiMOS源極底置25V功率MOSFET 採用PQFN 3.3x3.3mm封裝
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年02月18日 星期二

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英飛凌科技持續專注於解決現今電源管理設計面臨的挑戰,透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置(Source Down)是符合業界標準的全新封裝概念,英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率MOSFET–採用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS 25V。這款裝置在MOSFET性能方面樹立了新的產業標竿,不僅導通電阻降低,還具有業界領先的散熱管理指標,其應用範圍非常廣泛,包括:馬達驅動、SMPS(包括伺服器、電信和OR-ing)及電池管理等。

新封裝概念將源極(而非傳統的汲極)與導熱片相連。除了實現新的PCB布局,更有助於實現更高的功率密度和性能。
新封裝概念將源極(而非傳統的汲極)與導熱片相連。除了實現新的PCB布局,更有助於實現更高的功率密度和性能。

新封裝概念將源極(而非傳統的汲極)與導熱片相連。除了實現新的PCB布局,更有助於實現更高的功率密度和性能。目前推出兩種不同封裝的版本:分別是源極底置標準閘極(Standard-Gate)和源極底置置中閘極(Center-Gate)的PQFN 3.3x3.3mm封裝。源極底置標準閘極的封裝是基於既有的 PQFN 3.3x3.3mm引腳輸出組態。電子連接的位置保持不變,使得全新的源極底置封裝能直接取代現行標準的汲極底置(Drain-Down)封裝。另外針對置中閘極版本,其閘極引腳被移至中心位置,可輕鬆達成多個MOSFET並聯。由於汲極到源極的沿面距離增加,因此可將多個裝置的閘極連接到同一PCB層上。此外,將閘極連接移至中央位置還能使源極面積變大,亦有助於改善裝置的電子連接。

這項創新技術可大幅降低導通電阻,較現行技術減少多達30%。相較於目前的PQFN封裝,結殼熱阻亦獲得大幅改善。由於寄生效應降低,PCB耗損改善,加上出色的散熱效能,新封裝概念將為任何當代的工程設計帶來更多附加價值。

兩款採用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS源極底置25V功率MOSFET目前已開始供應。

關鍵字: Infineon(英飛凌
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