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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列 進一步降低切換損耗
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年02月25日 星期二

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英飛凌科技持續擴展其全方位的碳化矽(SiC)產品組合,新增650V產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求,包括:伺服器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。

CoolSiC MOSFET 650V導通電阻介於27m?至107m?,採用常見的TO-247 3腳和TO-247 4腳封裝,有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET產品,新的650V系列亦採用英飛凌先進的溝槽式半導體技術。
CoolSiC MOSFET 650V導通電阻介於27m?至107m?,採用常見的TO-247 3腳和TO-247 4腳封裝,有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET產品,新的650V系列亦採用英飛凌先進的溝槽式半導體技術。

英飛凌電源管理與多元電子事業處高壓轉換部門資深協理Steffen Metzger表示:「推出這項產品後,英飛凌在600V/650V電源領域完備了矽、碳化矽和氮化鎵型功率半導體產品組合。這也凸顯了我們在業界的獨特地位–我們是唯一一家推出涵蓋這三種電源技術多樣化產品的製造商。此外,最新的CoolSiC系列也展現了我們目標成為工業用SiC MOSFET開關供應商龍頭的決心。」

CoolSiC MOSFET 650V導通電阻介於27mΩ至107mΩ,採用常見的TO-247 3腳和TO-247 4腳封裝,有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET產品,新的650V系列亦採用英飛凌先進的溝槽式(trench)半導體技術,使 SiC 強大的物理特性能獲得最大的發揮,確保裝置達到最優異的可靠度、同級最佳的切換損耗和導通損耗。同時,這些裝置具備最高的跨導等級 (增益)、4V臨界電壓(Vth)和短路耐用度。溝槽式技術能使應用達到最低的損耗,和最高的運作可靠度,同時兼顧全方位效能。

相較於市場上其他的矽和碳化矽解決方案,650V CoolSiC MOSFET提供許多極具吸引力的優勢,例如:在更高頻率下的切換效率以及出色的可靠度。這些裝置具有非常低的導通電阻(RDS(on)) 與溫度的相依性,散熱特性極其出色。裝置採用穩定可靠的本體二極體,擁有非常低的逆復原電荷(Qrr),較效能最好的超接面CoolMOS MOSFET降低了約80%。裝置在整流方面的耐用度,有助於輕鬆達到98%的整體系統效率,例如:搭配連續傳導模式的圖騰柱電路功率因子校正(PFC)。

為了簡化CoolSiC MOSFET 650V的應用設計,確保裝置實現高效能運作,英飛凌亦推出專用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動IC。此解決方案結合了CoolSiC開關和專用的閘極驅動IC,有助於降低系統成本和整體擁有成本,且能提高能源效率。CoolSiC MOSFET 也能與英飛凌EiceDRIVER閘極驅動器系列的其他IC無縫配合運作。

CoolSiC MOSFET 650V系列包含八個版本,分別採用兩種穿孔式TO-247封裝,即日起接受訂購。三款專用的閘極驅動IC亦將於2020年3月推出。

關鍵字: SiC  電源管理  能源效率  Infineon(英飛凌
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