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英飛凌全新CoolSiC MOSFET實現無需冷卻風扇的伺服驅動方案
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年11月16日 星期一

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英飛凌科技支援機器人與自動化產業實作免維護的馬達變頻器,今日宣布推出採用最佳化D2PAK-7 SMD封裝、搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET,可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案,其損耗可降低達80%,因此不再需要冷卻風扇與相關服務。此裝置能夠在伺服驅動器解決方案的各種額定功率實現高效率,其他受惠於此SMD裝置的應用包括精簡的充電基礎設施及工業電源供應器。

搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET,可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案,其損耗可降低達80%,因此不再需要冷卻風扇與相關服務。
搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET,可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案,其損耗可降低達80%,因此不再需要冷卻風扇與相關服務。

英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wawer表示:「無冷卻風扇的自動化解決方案在節省維護作業與材料方面,開啟了新局。藉由結合CoolSiC溝槽式MOSFET晶片與.XT互連技術,可提升小尺寸封裝的散熱與循環能力。這也有助於將驅動器精簡地整合進馬達或機器人手臂。」

伺服驅動器是製造設備馬達的「啟動器」,SiC MOSFET的電阻傳導損耗及可完全控制的切換暫態,能夠完美配合這類馬達的負載曲線。系統損耗可望降低80%,相同EMC等級的IGBT解決方案(dv/dt為5至8V/ns時)也不例外。全新CoolSiC MOSFET SMD裝置的短路承受時間為3μs,符合電感器相對小且纜線較短的伺服馬達的需求。

此全新產品組合額定值介於30mΩ至350mΩ。.XT技術透過晶片封裝互連能力,較標準封裝可額外散發30%的損耗。CoolSiC .XT產品組合具備同級最佳的熱效能與循環能力,因此相較標準技術,輸出電流可增加14%、切換頻率加倍、操作溫度可降低10至15度。

D2PAK-7封裝的1200V CoolSiC MOSFET現已開放訂購。英飛凌預計在2021年將此SMD封裝產品組合延伸至650V,並提供超過18種全新產品(RDS(on) 25至200mΩ)的工程樣品。

關鍵字: MOSFET  Infineon(英飛凌
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