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ROHM運用矽深掘蝕刻技術推出全新超接面MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2011年11月29日 星期二

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ROHM於日前宣佈,推出全新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET-R5050DNZ0C9,適合太陽能發電系統的功率調節器使用。隨著節能議題愈來愈受到關注,其中,太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源,因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張。

因此,像是藉由改善功率轉換效率以達到節能效果,或是能降低損耗等,此類發電系統所使用的功率調節器對於功率MOSFET之要求也隨之愈來愈高。ROHM運用傳統的多層磊晶生長方式,以垂直型pn接合多個並排的超接合結構功率MOSFET,達到高效率目標。但此種方式所需的製程較複雜,因此在細微化以及生產性的提升上便成為難題。

本次ROHM採用了可一次讓垂直型p型埋層成長的矽深掘蝕刻技術,並藉由細微化與不純物濃度之最佳化的技術,導通電阻成功降低47%(與傳統產品相比),最適合容易受到低導通電阻影響的轉換器使用,另外搭配ROHM的快速回復二極體或碳化矽蕭特基二極體,亦可使用於變頻器等產品。

關鍵字: MOSFET  ROHM 
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