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安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年03月11日 星期三

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推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列,擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站,提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的。

安森美半導體的新的1200伏(V)和900V N型通道SiC MOSFET提供比矽更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二極體具有低反向恢復電荷,顯著降低損耗,提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

小晶片尺寸進一步增強高頻工作,達至更小的元件電容和更低的閘電荷-Qg(低至220 nC),從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基於Si的MOSFET提高能效,降低電磁干擾(EMI),並可使用更少(或更小)的被動元件。極強固的SiC MOSFET比Si元件提供更高的浪湧額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能,從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命,這對高要求的現代電源應用至關重要。 較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態特性,減少元件導通時產生的靜態損耗。

1200V元件的額定電流高達103A(最大ID),而900V元件的額定電流高達118A。對於需要更高電流的應用,安森美半導體的MOSFET可易於並聯運行,因其正溫係數/不受溫度影響。

安森美半導體電源配置部功率MOSFET分部副總裁/總經理Gary Straker針對新的SiC MOSFET元件說:「如果設計工程師要達到現代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰性的高能效和功率密度目標,他們需要高性能、高可靠性的MOSFET元件。 安森美半導體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越矽元件所能提供的,包括更低的損耗、更高的工作溫度、更快的開關速度、改善的EMI和更高的可靠性。 安森美半導體為進一步支援工程界,還提供廣泛的資源和工具,簡化和加速設計流程。」

安森美半導體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物,針對汽車應用的元件都符合AEC-Q100車規和生產件批准程式(PPAP)。所有元件都採用行業標準的TO-247或D2PAK封裝。

關鍵字: SiC  MOSFET  安森美半導體 
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