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TrendForce:2019年第二季全球前十大晶圓代工營收表現不如預期 (2019.06.13)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院最新報告統計,由於全球政經局勢動盪,致使第二季延續前一季需求疲弱,各廠營收與去年同期相比普遍呈現下滑,預估第二季全球晶圓代工總產值將較2018年同期下滑約8%,達154億美元
英飛凌 CoolGaN e-mode HEMT 獲 Computex Best Choice Award 類別獎 (2019.05.21)
英飛凌科技今日宣布,旗下氮化鎵功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列憑藉其高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等優勢,榮獲 2019年度Computex BC Award 類別獎。同時,英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件,涵蓋矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的全方位供應商
使用SiC技術攻克汽車挑戰 (2019.01.07)
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標之一。
碳化矽元件的市場發展關鍵:晶圓製造 (2018.10.03)
碳化矽有很高的硬度,僅次於金剛石,需要在極高溫才能燒熔,再加上生產條件的控制難度大,導致碳化矽晶圓量產不易,直接影響了終端晶片與應用的發展。
提升電源系統功率密度 TI推新款LLC控制器 (2018.08.17)
能源問題已經是全球各國政府與相關廠商亟欲解決的問題。由於全球能源用量大幅增加,在資料中心、車用電子、工業等眾多應用之下,電力消費支出已直逼石油產品開銷
美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。 這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發,提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感,同時實現高電流、高開關頻率以及高效率
Navitas與台積電及Amkor連結成製造合作夥伴 (2017.10.18)
氮化鎵 (GaN)功率IC供應商納微(Navitas)半導體宣佈與台積電和艾克爾(Amkor)結成主要製造合作夥伴,以支援客戶在2018年及未來的龐大需求。GaN 功率IC平台自從去年推出以來,市場反應一直十分良好
化合物半導體技術升級 打造次世代通訊願景 (2017.08.24)
2016 年至 2020 年 GaN 射頻元件市場複合年增長率將達到4%,如何積極因應此一趨勢,善用本身優勢布局市場,將是台灣半導體產業這幾年的重要課題。
化合物半導體技術論壇登場 打造次世代通訊願景 (2017.08.17)
寬頻通訊成為近年來行動設備的必備技術,而隨著應用領域的漸深漸廣,目前的4G通訊標準將逐漸不敷使用,在市場驅動下,5G標準的制定已積極展開。
D3 Semiconductor與貿澤電子簽署全球分銷協定 (2017.06.20)
D3 Semiconductor宣佈貿澤電子 (Mouser Electronics) 現已成為其全球分銷合作夥伴。根據協定,貿澤電子目前儲備 D3 Semiconductor 的完整 650 伏額定電壓超結金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) +FET產品線
Littelfuse增加對Monolith Semiconductor的投資 (2017.03.13)
Littelfuse(利特)宣佈對Monolith Semiconductor 公司增資1500萬美元。Monolith Semiconductor 公司位於德克薩斯州,是一家開發碳化矽技術的初創公司。碳化矽是一種快速興起的半導體材料,與常規矽相比,它使功率器件能夠在更高的開關頻率下工作
華虹半導體深耕FS IGBT 聚焦新能源汽車應用 (2016.07.21)
全球200mm純晶圓代工廠─華虹半導體宣布,將充分利用在IGBT(絕緣?雙極型晶體管)技術方面的優勢,積極開拓新能源汽車市場,加速新能源汽車晶片國產化進程。 IGBT是新一代電能轉換和控制的核心器件
Molex推出2X2 PoE 2.5 GbE多埠磁性模組化插座 (2016.06.13)
Molex推出一款2X2 PoE 2.5十億位元乙太網路(GbE) 多埠磁性模組化插座,即整合式連接器模組(ICM)。截至目前為止,還沒有其他磁性模組化插座產品可以在單一配置中以 2 對 PoE 提供 2.5 GbE 和 30W 的性能
美高森美發佈全新系列Powermite1 MUPT瞬態電壓抑制二極體 (2016.03.17)
配合飛機電氣化的發展趨勢,美高森美公司(Microsemi)發佈一獨特且具有專利的全新系列Powermite1 MUPT瞬態電壓抑制(transient voltage suppression, TVS)二極體產品。飛機電氣化、提高可靠性和燃油效率等市場趨勢的發展
衝電氣(OKI)再次向安森美半導體歐洲工廠提供排氣處理設備 (2014.09.16)
衝電氣集團(OKI)旗下的提供可靠性評估和環保技術服務的衝工程技術株式會社(社長:淺井裕,總公司:日本東京都練馬區,以下簡稱“OEG”)向半導體生產廠商安森美半導體(ON Semiconductor)公司(社長:Keith D. Jackson,總公司:美國亞利桑那州鳳凰城)歐洲工廠再次提供常壓CVD※1生產設備專用排氣處理設備“KGT-3MM-AP”
宜普展示採用氮化鎵場效應電晶體可提高無線電源傳送應用的效率達20% (2014.03.17)
矽基增強型功率氮化鎵(eGaN)功率電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於亞太區業界技術研討會進行三場技術演講。 於3月18日在中國上海舉行的兩場業界研討會中,宜普公司技術專家將與您分享更高效的氮化鎵(GaN)功率器件如何替代陳舊的矽MOSFET器件,並如何在無線電源傳送(WiPo)應用取得更高性能
美高森美針對RF和寬頻通信應用 推出新型 MOSFET器件 (2013.09.23)
美高森美公司(Microsemi Corporation)擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) MOSFET產品系列, 宣佈推出VRF2944 和VRF3933,它們是為了可在2-60 megahertz (MHz)工業、科學和醫療(ISM)頻率範圍運作而設計的兩款更大功率、更高電壓(V) 器件
快捷半導體公司技術長DAN KINZER榮獲ISPSD貢獻獎 (2013.07.26)
2013年第25屆功率半導體器件與積體電路國際會議(ISPSD)上,快捷半導體公司技術長Dan Kinzer榮獲「ISPSD貢獻獎」。 ISPSD貢獻獎於2001年ISPSD會議上設立,旨在頒發給在拓展技術領域上有傑出貢獻之人
富士通半導體推出150V耐電壓的GaN功率元件 (2013.07.24)
  香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出矽基板氮化鎵(GaN)功率元件晶片MB51T008A,耐電壓能達到150V。富士通半導體將於2013年7月開始為客戶提供樣品。MB51T008A的初始性能狀態為常關型(Normally-off),與同級耐電壓的矽功率元件相比,MB51T008A的優值因數(FOM)可?低將近一半
高頻鏈路雙向 DC- DC 轉換器,用於超級電容器為基礎的車用輔助電力系統-高頻鏈路雙向 DC- DC 轉換器,用於超級電容器為基礎的車用輔助電力系統 (2011.08.24)
高頻鏈路雙向 DC- DC 轉換器,用於超級電容器為基礎的車用輔助電力系統


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