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三星發表12層3D-TSV封裝技術 將量產24GB記憶體 (2019.10.07)
三星電子今日宣布,已開發出業界首個12層的3D-TSV(Through Silicon Via)技術。此技術透過精確的定位,把12個DRAM晶片以超過6萬個以上的TSV孔,進行3D的垂直互連,且厚度只有頭髮的二十分之一
aveni已完成對默克風投公司和現有投資者的B輪融資 (2017.10.27)
[法國巴黎訊]二維互連和3D TSV封裝市場破壞性濕式沉積技術和化學品開發及製造商aveni公司,今日宣佈已完成對默克風投公司(默克集團風投部門)和現有投資者的B輪融資,共籌集890萬歐元(合1050萬美元)
布魯爾科技推出暫時性貼合/剝離(TB/DB)產品 (2017.05.02)
1.在以TSV、3D-IC與散出型晶圓級封裝 (FOWLP) 製造 2.5D 中介層時,暫時性貼合 (TB) 與剝離扮演了什麼樣的角色?其重要性為何? 暫時性貼合材料最關鍵的要求為何? 暫時性貼合/剝離 (TB/DB) 是薄晶圓處理技術中相當關鍵的一種兩部分製程步驟,該技術已用於許多先進的封裝應用中
電接枝技術助益3D TSV製程 (2016.07.28)
金屬沉積是成功的TSV性能的關鍵製程之一。在TSV的常規金屬沉積製程中,阻障和晶種步驟使用的是傳統的自上而下的沉積製程,用來實現高深寬比TSV的金屬化時,可能會給傳統製程帶來一些挑戰
2016年7月(第297期)COMPUTEX轉型ing (2016.07.05)
COMPUTEX 2016大概是近幾年來採取主動傳遞訊息最多的一年, 我們十分樂於見到主辦單位終於聽到轉型的聲音與訴求, 我們也期許,主辦單位能更加積極,更有創新想法, 才不會辜負這塊長達三十餘年的資通訊專業展的招牌
宜特:整合封裝面臨IC壽命下降議題 (2013.01.08)
繼2012年晶圓代工廠突破28奈米製程後,帶動半導體產業鏈2013年朝向20奈米更高階的製程、整合式的封裝發展,但也讓IC設計公司因製程改變而延伸出的壽命問題。 宜特公司觀察發現
3D IC技術漸到位 業務模式磨合中 (2012.12.21)
儘管挑戰仍在,但3D IC技術的陸續到位, 已經從概念成為可行的商業化產品。 不過,何種3DIC的業務模式會勝出,仍是未定之天。
3D IC應用市場核心技術TSV的概況與未來 (2009.08.31)
3D IC是否可以成為應用主流,矽通孔(Through Silicon Vias;TSV)技術是一個關鍵。TSV製程的成熟,將會主導3維晶片的應用市場,未來可以用來整合IC、邏輯晶片、RF、CMOS影像感應器與微機電系統
為何需要3D IC? (2009.03.03)
三維晶片(3D IC)是利用晶片層的3D堆疊來減輕IC中擁擠的程度,同時能達到減小外觀尺寸、提高速度、降低功耗等效能,並具備減低生產費用、改善可靠度和測試品質、提高資料安全性、提供異質整合等設計優勢
晶圓代工紛導入先進製程 高階封測當紅 (2007.11.19)
隨著65奈米製程的成熟,晶圓代工廠如台積電、聯電、IBM與特許等陸續獲得國際大廠的訂單,且對於45奈米及32奈米製程的佈局也不停下腳步。而因應先進製程的後段封裝技術及產能,台積電及IBM已開始投資高階封裝技術
SSD的市場來臨? (2007.06.27)
SSD的市場來臨?


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