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網際網路的引領與規範 - ISOC

ISOC的全名是Internet SOCiety意即為網際網路社團,是一個非營利的網路技術研發機構,由全球182個國家的150個組織與11,000名個別會員所組而成,其作用在於引領網際網路的導向與制定網際網路的規範。
宜普電源轉換公司推出採用高頻氮化鎵場效應電晶體 (2014.07.01)
由於氮化鎵場效應電晶體具備卓越性能例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及尺寸短小,它是高度諧振並符合Rezence (A4WP)規格的無線電源傳送系統的理想器件,可提高該系統的效率
宜普展示採用氮化鎵場效應電晶體可提高無線電源傳送應用的效率達20% (2014.03.17)
矽基增強型功率氮化鎵(eGaN)功率電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於亞太區業界技術研討會進行三場技術演講。 於3月18日在中國上海舉行的兩場業界研討會中,宜普公司技術專家將與您分享更高效的氮化鎵(GaN)功率器件如何替代陳舊的矽MOSFET器件,並如何在無線電源傳送(WiPo)應用取得更高性能
恩智浦推採用1.1-mm2無鉛塑膠封裝3 A電晶體 (2013.10.31)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款採用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN(分立式扁平無引腳)封裝的電晶體。全新產品組合由25種元件組成,其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用電晶體
英飛凌擴展射頻產品,推適用 UHF TV 功率放大器新型電晶體 (2013.10.16)
英飛凌科技股份有限公司今日推出專為 UHF TV 廣播發射器設計的 50V LDMOS 電晶體,其中包括一款為市面上針對該應用提供最高功率峰值輸出的產品。在整個 470 – 806 MHz TV 廣播頻帶提供更高的功率輸出,讓放大器設計人員可選擇使用更少的電晶體達成目標輸出功率,進而減少元件數量降低成本,並以更簡單的設計提升可靠性
美高森美750W GaN on SiC RF功率電晶體 為航空提供無與倫比的高功率性能 (2013.10.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF電晶體,擴展其基於碳化矽(silicon carbide, SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride, GaN)高電子移動率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)技術的射頻(radio frequency, RF)功率電晶體系列之陣容
Mouser 供貨羅姆推出的全球最小電晶體 (2013.08.14)
Mouser Electronics 宣佈開始供應羅姆半導體(ROHM Semiconductor)的全球最小電晶體封裝,該產品適用於輕薄短小的可攜式裝置。 羅姆半導體超精巧MOSFET 與雙極性電晶體採用市場上尺寸最小的電晶體封裝,並已針對輕薄短小的可攜式裝置進行最佳化
Diodes推出業界最小雙極電晶體 (2013.08.06)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出業界第一款採用DFN0806-3 微型封裝的小訊號雙極電晶體。這些元件的面積只有 0.48mm2,離板厚度僅0.4mm,面積比採用DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型元件還小20%
Agilent與NXP合作展示高功率電晶體及模擬方案 (2011.11.08)
安捷倫科技(Agilent)與NXP半導體於日前共同宣佈,將針對安捷倫的非線性向量網路分析儀(NVNA)已在歐洲微波週中提供現場展示。該NVNA必須在安捷倫的PNA-X系列網路分析儀上執行,在這次的展示中,被用來對NXP專為2.45 GHz ISM頻帶應用而設計的高功率LDMOS電晶體進行特性描述
意法半導體推出新系列射頻功率電晶體 (2011.10.06)
意法半導體(STMicroelectronics)今(5)日發表,推出新系列射頻(RF)功率電晶體。新系列產品採用先進技術,為政府通訊、用於緊急救援的專用行動無線電系統(private mobile radio,PMR)以及L波段衛星上連(L-band satellite uplink)設備等要求苛刻的重要應用領域提高無線通訊系統的性能、穩健性及可靠性
Diodes迷你型SOT963封裝產品問世 (2010.08.19)
Diodes近日宣佈,推出採用超小型SOT963封裝的雙極電晶體(BJT)、MOSFET和瞬態電壓抑制(TVS)元件,適合低功耗應用,Diodes SOT963的佈局面積只有0.7平方毫米,比SOT723封裝少30%,較SOT563封裝少60%
Diodes新型雙極電晶體提升電源管理電路效率 (2010.08.16)
Diodes公司於日前宣佈,推出了新型的20V NPN和PNP雙極電晶體,它們採用超微型的DFN1411-3表面黏著封裝,能夠大幅提升電源管理電路的功率密度和效率,並且採用了Diodes的第五代矩陣射極雙極製程來進行設計
恩智浦半導體標準產品展現絕佳性能 (2010.06.02)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors) 今年首度展出全系列「高性能混合訊號(High Performance Mixed Signal)」技術的多款創新設計與解決方案。整合類比與數位技術的優勢,讓高性能混合訊號技術與標準產品相結合,在瞬息萬變的市場中,提供更多樣化的產品選擇
工研院成功研發4.7吋主動式電晶體印刷技術 (2008.11.14)
工研院在新竹國賓飯店的「2008軟性電子暨顯示技術國際研討會」中,展出已測試完成的可彎曲4.7吋主動式有機薄膜電晶體,讓可彎曲、折疊、易攜帶的軟性顯示器商品在未來生活實現
ROHM推出行動裝置市場專用電晶體封裝 (2008.11.03)
ROHM Co., Ltd.特別推出體積為全球最小的電晶體封裝「VML0805」(0805(0302 inch)尺寸),並預定自2008年11月依序開始進行適用於此一封裝的通用型雙載子電晶體與內建電阻型數位電晶體的樣品出貨(樣品售價100日圓/個),並自2009年3月起以月產1000萬個的規模展開量產
英飛凌推出700 MHz頻段射頻功率晶體系列 (2008.06.27)
英飛凌科技 (Infineon)宣佈推出新款700 MHz頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。 這個頻段將在美國用來導入4G(第四代)行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務,包括下一代的無線網路標準-LTE(長期演進技術)
KEITHLEY新推自動特性分析套件(ACS)測試系統 (2008.05.20)
量測方案廠商美商吉時利儀器公司(Keithley Instruments)宣佈為其Automated Characterization Suite(ACS)自動特性分析套件軟體,加入選擇性的晶圓級可靠性(WLR)測試工具,可支援各種半導體可靠度與使用期預測等應用
恩智浦新推電晶體提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.19)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出BLC7G22L(S)-130基地台功率電晶體,這是恩智浦的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;LDMOS)技術的產品,專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化
Vishay推出新型VEMT系列矽NPN光電電晶體 (2008.04.13)
Vishay推出採用可與無鉛(Pb)焊接相容的PLCC-2表面貼裝封裝的新系列寬角光電電晶體。VEMT系列中的器件可作為當前TEMT系列光電電晶體的針腳對針腳及功能等同的器件,從而可實現快速輕鬆的替代,以滿足無鉛(Pb)焊接要求
英飛凌推出新型LDMOS射頻功率電晶體 (2008.04.07)
英飛凌科技(Infineon)發表兩款新型LDMOS射頻功率電晶體,適用於無線通訊基礎架構應用領域,例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。這兩款新產品提供之輸出功率峰值可達170瓦,進一步擴大英飛凌為WiMAX領域所提供射頻功率電晶體之產品種類,現有產品功率包括10瓦、45瓦及130瓦
Intel推出五款全新Intel Atom處理器 (2008.04.07)
英特爾公司宣布推出五款全新Intel Atom(凌動)處理器,以及針對移動聯網裝置(MID)與嵌入式運算解決方案設計的Intel Centrino Atom(Intel 迅馳 凌動)處理器技術。 該技術組合包括了Intel Atom處理器(代號Silverthorne)

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