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CTIMES / Mosfet
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制定電子商業標準協會 - OASIS

OASIS是一個非營利的機構,其作用在於發展、整合,以及統一世界各地電子商業所需要的專用標準。OASIS並制定出全球電子商業的安全標準、網路服務、XML的標準、全球商業的流通,以及電子業的出版。
凌力爾特發表60V同步升降壓控制器 (2014.12.02)
凌力爾特 ( Linear)日前發表同步升降壓DC/DC控制器LT3790,可以單一IC提供超過250W的功率。其4.7V至60V輸入電壓範圍適合廣泛的汽車、工業應用。輸出電壓可以設定於0V至60V,因此適合電壓穩壓器或電池/超級電容充電器
意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求,同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻 (2014.11.13)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)為工業應用擴充StrongIRFET MOSFET系列,為多種工業應用包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流推出75V元件
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻 (2014.10.29)
工業應用所需的工具與元件較一般電子元件更講求堅固安全,國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列,為多種工業應用推出75V元件,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流
功率半導體市場大地震 英飛凌併購國際整流器 (2014.08.21)
近年來半導體市場的併購案件不斷,像是英特爾併購英飛凌的無線射頻部門、或是德州儀器一次買下美國國家半導體(NS)等,都是全球半導體產業十分關注的焦點,而此次英飛凌以以每股 40 美元、總計約 30 億美元的現金出手買下國際整流器(IR),更是撼動了全球功率半導體市場
車用電子翻新 英飛凌顛覆MCU想像 (2014.04.16)
車用電子所涵蓋的半導體元件相當廣泛,一言以蔽之,就是既有的系統設計架構套上車用規範。也因此,從既有的DC/DC、AC/DC、DC/AC、MCU(微控制器)、MPU(微處理器)等,這些元件都可以在車用電子中窺見其蹤影
次晶片級封裝是行動裝置設計新良藥 (2013.11.29)
手機滲透率在已開發市場達到了很高比例,而在世界上其他地區也不斷提高。根據GSMA的資訊,先進的歐洲國家,其行動用戶滲透率已經超過90%。開發中市場的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%,而且是未來5年內刺激全球行動市場成長的最大因素
MOSFET封裝進步 幫助提供超前晶片組線路圖的行動功能 (2013.11.29)
面臨為需求若渴的行動裝置市場提供新功能壓力的設計人員,正在充分利用全新次晶片級封裝(sub-CSP)技術的優勢,使用標準IC來構建領先於晶片組路線圖的新設計。
能源採集大不易 突破點就在靜態電流 (2013.11.28)
能源採集這個議題在產業界的討論並不算是相當熱絡,廣泛來看,像是太陽能發電亦可以算是能源採集的一種。若將能源採集作一個簡單的定義,將不同的能量轉化為電能,就可等同視之
最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET問世 (2013.08.19)
高電壓功率 MOSFET 一般分為兩大類: 超接面(SJ : Super Juction)MOSFET 和平面型 MOSFET。由於其電荷平衡結構和更小的輸入柵極電荷(Qg),SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的導通電阻(RDS(on))和更快的開關性能
意法半導體推出採用TO-247封裝的650V車規MOSFET (2013.08.14)
意法半導體的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101車規MOSFET。在高電壓突波(high-voltage spikes)的環境中,650V額定電壓能夠?目標應用帶來更高的安全系數,有助於提高汽車電源和控制模組的可靠性
凌力爾特打造高品質工業用橋式整流器 (2013.06.14)
傳統採用二極體的橋式整流器,由於在運作過程會產生壓降,導致系統廠商在選用元件方面會產生很大的不便。也因此,凌力爾特採用兩組MOSFET來取代原有的二極體,有效提高了電源效率,並減少了穩壓過程的二極體壓降
IR 全新300V功率MOSFET配備基準導通電阻 (2013.01.23)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出配備了IR最新功率MOSFET的300V元件陣營,藉以為各種高效率工業應用提供基準導通電阻 (RDS(on)),包括110-120交流電壓線性調節器和110-120交流電壓電源,以及太陽能逆變器與不斷電供應系統 (UPS) 等直流-交流逆變器
快捷半導體智慧型高側開關為設計人員提供可靠的解決方案 (2012.05.11)
快捷半導體公司(Fairchild)日前開發出一款專門為汽車車身電子提供先進電氣負載控制的智慧型高側開關系列。該系列元件為離散式MOSFET設計提供替代方案,整合了保護和診斷功能,以減少元件數量,簡化印刷線路板設計,同時提高系統的可靠性
Diodes新型MOSFET晶片高度減少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,離板高度只有0.4mm,面積只有4mm2,是一款額定電壓為 -25V的P通道元件,較同類型元件薄50%
Diodes MOSFET控制器有助提高PSU效率 (2012.01.11)
Diodes公司日前推出額定電壓為25V的同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,適用於90W或以上的筆記型電腦和可攜型電腦的電源設計。這款元件能取代返馳式轉換器內效率欠佳的蕭特基二極體,並能減少多達70%的整流器損耗,有效提高3.5%的電源效率
TI推出4 A與5 A雙通道輸出MOSFET驅動器 (2012.01.11)
德州儀器(TI)日前宣佈推出3款雙通道輸出閘極驅動器,可提升高密度隔離電源效率與可靠度,進一步擴大MOSFET驅動器產品陣營。 UCC27210與UCC27211是120 V啟動高側(high-side)與低側(low-side)雙通道輸出MOSFET驅動器,提供達4 A的輸出電流,且可消除驅動器輸入-10 V直流電(VDC)干擾
ST超結型MOSFET系列再添新成員 (2012.01.06)
意法半導體(ST)日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET產品,擁有極低的每單位面積導通電組(on-resistance per area),在650V額定電壓應用中可實現高能效和功率密度;對於以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路,如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器可提升能效
Fairchild推出鋰離子電池組保護設計解決方案 (2011.12.22)
快捷半導體(Fairchild)近日開發出PowerTrench MOSFET元件FDMB2307NZ。該元件具有能夠縮小設計的外形尺寸,並提供所需的高效率。FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超可攜式應用而設計,具有N通道共同漏極MOSFET特性,能夠達成電流雙向流動
Diodes推出12V新型P通道MOSFET (2011.12.15)
Diodes日前推出12V微型P通道强化型MOSFET—DMP1245UFCL,有助於提升電池效率和減少電路板空間,並滿足空間受限的可攜式產品設計要求,如智慧型手機和平板電腦等。 這款新MOSFET採用超精密和高熱效率的DFN1616封裝,並具有極低的導通電阻(RDS(on)),能把傳導損耗降至最低,以延長電池壽命

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