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電子工業改革與創新者 - IEEE

IEEE的創立,是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新,與提供會員實質上的協助。
英飛凌新一代功率MOSFET具備低導通電阻 (2015.02.10)
英飛凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下 80V和100V兩款新產品。最新一代的功率MOSFET針對高切換頻率所設計,適用於電信及伺服器電源供應器等同步整流,以及其他如太陽能、低壓馬達和變壓器等工業應用
德州儀器推出NexFET N通道功率MOSFET實現低電阻功效 (2015.01.22)
採用5公釐x 6公釐QFN封裝並具極低Rdson的25 V和30 V裝置 德州儀器(TI)推出NexFET產品線的11款新型N通道功率MOSFET,包括擁有低導通電阻(Rdson)且採用QFN封裝的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B,其適合熱插拔和ORing應用
安茂微電子推出高效率2A同步升壓轉換器 (2015.01.19)
安茂微電子推出一系列DC-DC升壓轉換器─AME5125,採用電流控制同步技術以及整合MOSFET,有效提供高效率的電源。 輸入電壓為2.7V~5.5V,提供最大5.5A的輸出電流,主要應用於攜帶式電源、藍牙音箱等單電池供電的可攜式裝置相關產品,適用於以鹼性電池、鎳氫電池或鋰電池
Diodes全新MOSFET閘極驅動器提升轉換效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一對1A額定值的40V輕巧閘極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,能用在控制板上和嵌入式電源以及馬達驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6(採用SOT26封裝)和 ZXGD3009DY(採用SOT363封裝)可縮短MOSFET的開關時間,有助於盡量降低開關損耗、改善功率密度,以及提升整體轉換效率
麥瑞半導體新款小尺寸負荷開關提供7A安恒電流 (2015.01.08)
麥瑞半導體(Micrel)推出 MIC95410 7A 負荷開關,封裝尺寸緊湊,僅僅為1.2mm x 2.0mm。該器件可用於有功率分配需求的系統,能夠透過斜率控制來控制加電順序,這種功能通常會用在工業計算、伺服器主機板、醫療設備、平板電腦、筆記本和固態硬碟等應用中
Diodes推出40V額定值動態OR'ing控制器 (2014.12.24)
Diodes公司推出40V額定值的動態OR'ing控制器ZXGD3108N8,以提升電訊系統、資料中心及伺服器不斷電供應系統的可靠性。新產品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET,從而取代耗能的蕭特基(Schottky)阻斷二極體,有效降低運作溫度並加強不斷電供應系統的完整性
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝 (2014.12.17)
國際整流器公司(International Rectifier;IR)推出採用高效能4×5 PQFN功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。此項新的封裝選擇使IR的功率模塊產品系列效能得以延伸至更低功率的設計
凌力爾特湧浪抑制器解決方案符合MIL-STD-1275D標準 (2014.12.11)
凌力爾特(Linear Technology)日前推出符合MIL-STD-1275D標準的湧浪抑制器解決方案,並展示於評估板DC2150A。 MIL-STD-1275D是由美國國防部(United States Department of Defense)建立的標準,其規定了軍用地面車輛的28V直流電源之穩態和瞬變電壓特性
凌力爾特新款j微型模組穩壓器可高效轉換 (2014.12.05)
凌力爾特(Linear)日前發表20A DC/ DC降壓 uModule(微型模組)穩壓器LTM4639,能夠以最佳化效率轉換2.5V至7V主電源系統電源端至低至0.6V的負載點電壓。在複雜的機架安裝系統中,更高的電壓轉換效率將可節省能源消耗、熱管理和設備尺寸
IR推出電池保護應用MOSFET系列 (2014.12.02)
國際整流器公司 (International Rectifier;IR) 針對鋰離子電池保護應用推出一系列IR最新低電壓MOSFET矽技術元件,包括IRL6297SD雙通道DirectFET MOSFET。 全新功率MOSFET備有極低的導通電阻,藉以大幅減少導通損耗,提供20V和30V N通道及P通道組態元件
凌力爾特發表60V同步升降壓控制器 (2014.12.02)
凌力爾特 ( Linear)日前發表同步升降壓DC/DC控制器LT3790,可以單一IC提供超過250W的功率。其4.7V至60V輸入電壓範圍適合廣泛的汽車、工業應用。輸出電壓可以設定於0V至60V,因此適合電壓穩壓器或電池/超級電容充電器
意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求,同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻 (2014.11.13)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)為工業應用擴充StrongIRFET MOSFET系列,為多種工業應用包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流推出75V元件
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻 (2014.10.29)
工業應用所需的工具與元件較一般電子元件更講求堅固安全,國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列,為多種工業應用推出75V元件,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流
功率半導體市場大地震 英飛凌併購國際整流器 (2014.08.21)
近年來半導體市場的併購案件不斷,像是英特爾併購英飛凌的無線射頻部門、或是德州儀器一次買下美國國家半導體(NS)等,都是全球半導體產業十分關注的焦點,而此次英飛凌以以每股 40 美元、總計約 30 億美元的現金出手買下國際整流器(IR),更是撼動了全球功率半導體市場
車用電子翻新 英飛凌顛覆MCU想像 (2014.04.16)
車用電子所涵蓋的半導體元件相當廣泛,一言以蔽之,就是既有的系統設計架構套上車用規範。也因此,從既有的DC/DC、AC/DC、DC/AC、MCU(微控制器)、MPU(微處理器)等,這些元件都可以在車用電子中窺見其蹤影
次晶片級封裝是行動裝置設計新良藥 (2013.11.29)
手機滲透率在已開發市場達到了很高比例,而在世界上其他地區也不斷提高。根據GSMA的資訊,先進的歐洲國家,其行動用戶滲透率已經超過90%。開發中市場的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%,而且是未來5年內刺激全球行動市場成長的最大因素
MOSFET封裝進步 幫助提供超前晶片組線路圖的行動功能 (2013.11.29)
面臨為需求若渴的行動裝置市場提供新功能壓力的設計人員,正在充分利用全新次晶片級封裝(sub-CSP)技術的優勢,使用標準IC來構建領先於晶片組路線圖的新設計。
能源採集大不易 突破點就在靜態電流 (2013.11.28)
能源採集這個議題在產業界的討論並不算是相當熱絡,廣泛來看,像是太陽能發電亦可以算是能源採集的一種。若將能源採集作一個簡單的定義,將不同的能量轉化為電能,就可等同視之
最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET問世 (2013.08.19)
高電壓功率 MOSFET 一般分為兩大類: 超接面(SJ : Super Juction)MOSFET 和平面型 MOSFET。由於其電荷平衡結構和更小的輸入柵極電荷(Qg),SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的導通電阻(RDS(on))和更快的開關性能

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