帳號:
密碼:
CTIMES / Gan
科技
典故
制定無線傳輸規範的組織 - ITU

ITU最主要的工作就是制定無線傳輸設施的相關規範,例如手機、飛航通訊、航海通訊、衛星通訊系統、廣播電台和電視台等無線傳輸設施,
ST隔離式SiC閘極驅動器問世 採用窄型SO-8封裝節省空間 (2021.11.04)
意法半導體(STMicroelectronics)新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器,其採用了節省空間的窄體SO-8封裝,具備穩定的效能和精準的PWM控制。 SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率,而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間,並加強穩定性和可靠性
「2021電源管理與電力設計研討會」特別報導 (2021.10.27)
愛德克斯:高整合電驅系統當道 電機與電池模擬測試是關鍵 電動車產業正如火如荼的發展,包含台灣在內,各國政府也透過法令與補貼政策,全力推動電動車市場的成形
ROHM榮獲UAES SiC功率解決方案優先供應商殊榮 (2021.10.27)
半導體製造商ROHM榮獲中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司(UAES)的SiC功率解決方案優先供應商殊榮。 UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來,雙方在採用SiC功率元件的車電應用產品開發方面建立了合作夥伴關係
2021年全球GaN功率廠出貨排名預測 納微半導體以29%居冠 (2021.09.30)
根據TrendForce研究顯示,受惠於消費性快充產品需求快速上升,如手機品牌小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭,憑藉高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞,截至目前筆電廠商也有意跟進,使GaN功率市場成為第三代半導體產業中產值上升最快速的類別,預估2021年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%
中央大學攜手是德 建立第三代半導體研發暨測試開放實驗室 (2021.09.28)
是德科技(Keysight)攜手國立中央大學光電科學研究中心(National Central University Optical Sciences Center),共同合作提高了GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率,並加速5G基建及電動車創新之步伐
TI推出最新GaN技術 攜手台達打造高效能伺服器電源供應器 (2021.09.26)
德州儀器(TI)宣佈,其氮化鎵(GaN)技術和 C2000 即時微控制器(MCU),輔以台達的電力電子核心技術,為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器(PSU)
意法半導體推出單晶片 GaN 閘極驅動器 (2021.09.10)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)新推出STDRIVEG600半橋閘極驅動器輸出電流大,上下橋輸出訊號傳播延遲為45ns,能夠驅動GaN加強型 FET 高頻開關。 STDRIVEG600的驅動電源電壓最高20V,還適用於驅動N溝道矽基MOSFET,在驅動GaN元件時,可以靈活地施加最高6V閘極-源極電壓(Gate-Source Voltage;VGS),確保導通電阻Rds(on)保持在較低水準
應用材料助碳化矽晶片製造 加速升級至200毫米晶圓 (2021.09.09)
應用材料公司推出新產品,協助全球領先的碳化矽 (SiC) 晶片製造商,從150毫米晶圓製造升級為200毫米製造,增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍的產量,滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求
英飛凌攜手Panasonic 共同加速650 V GaN功率裝置技術發展 (2021.09.06)
英飛凌科技和 Panasonic 公司,已針對共同開發及生產第二代 (Gen2) 氮化鎵 (GaN) 技術簽訂合約,基於已獲認可接受的GaN技術,Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。 為了因應市場需求,Gen2 將會開發為 650 V GaN HEMT
聯華電子與頎邦科技 經股份交換建立策略合作關係 (2021.09.06)
聯華電子、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦科技董事會今日分別通過股份交換案,聯華電子及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。 聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務,為IC產業各項應用產品生產晶片,並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案,以符合客戶的晶片設計需求,所提供方案橫跨14奈米到0
新能源車需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR達78% (2021.09.05)
TrendForce表示,2021年隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使如基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁
盛美發佈首台晶圓級封裝和電鍍應用電鍍設備 (2021.08.31)
盛美半導體設備發佈了新產品—Ultra ECP GIII電鍍設備,以支援化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金(Au)鍍到背面深孔制程中,具有更好的均勻性和臺階覆蓋率
拓展碳化矽實力 安森美將收購GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生產商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美國時間8月25日宣佈已達成最終協定,根據該協定,安森美將以4.15億美元現金收購GTAT。 GTAT 成立於 1994 年,在包括 SiC 在內的晶體成長方面擁有豐富的經驗
ST和Exagan攜手開啟GaN發展新章節 (2021.08.17)
GaN的固有特性,讓元件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻,亦即相較於同尺寸的矽基元件,GaN可處理更大的負載、效能更高,而且物料清單成本更低。
邊緣運算推升伺服器需求 英飛凌讓電源供應器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的數據量正在加速爆走中,尤其是物聯網和邊緣運算應用被逐步導入市場之後,各種機器與設備的資料和數據,就日夜不停地被記錄與傳送到雲端資料中心與伺服器之中,直接推升了各個領域對於伺服器的建置需求
意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓 (2021.08.13)
意法半導體(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓,這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功
科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈,與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作,結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器,和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin),增加了 5G 基地台的無線容量,可支援更多人同時使用,並且提高了資料傳輸速度
恩智浦將氮化鎵應用於5G多晶片模組 (2021.07.07)
降低能源消耗(energy consumption)為電信基礎設施的主要目標之一,其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%,比公司上一代模組高出8%
ST車規GaN產品新系列 整合車載充電器、自駕LiDAR等智慧電路 (2021.05.26)
意法半導體(ST)推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化鎵(GaN)解決方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解決方案內整合功率級和智慧電路,滿足汽車電動化趨勢下的創新需求。 透過意法半導體於車用電子應用研發的豐富經驗、在智慧功率技術、寬能隙半導體材料和封裝技術的優勢和創新成果
PI推新款GaN返馳式切換開關IC 用於超小型行動充電器 (2021.05.25)
節能型電源轉換高壓IC大廠Power Integrations(PI)今日宣佈推出InnoSwitch 4-CZ系列的高頻率、零電壓切換(ZVS)返馳式切換開關IC。InnoSwitch4-CZ裝置結合了採用Power Integrations PowiGaN技術的750V主開關和高頻主動箝位返馳式控制器,適用於手機、平板電腦和筆記型電腦的超小型充電器

  十大熱門新聞
1 意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓
2 2021嵌入式線上展會 安森美半導體展示預整合的博世物聯網套組
3 TrendForce:第三代半導體成長強勁 GaN產值年增90.6%
4 ROHM研發出150V GaN獨創結構 將閘極耐壓提升至8V
5 恩智浦將氮化鎵應用於5G多晶片模組
6 應用材料助碳化矽晶片製造 加速升級至200毫米晶圓
7 2021年全球GaN功率廠出貨排名預測 納微半導體以29%居冠
8 中央大學攜手是德 建立第三代半導體研發暨測試開放實驗室
9 拓展碳化矽實力 安森美將收購GT Advanced
10 提高電動車充電率 TI推升車用GaN FETs開關頻率性能

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2021 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw