 |
TI最新車用GaN FET 整合驅動器、保護功能與主動式電源管理 (2020.11.11)
德州儀器（TI）近日拓展其高壓電源管理產品組合，推出適用於汽車及工業應用的650V及600V氮化鎵場效電晶體（GaN FET），整合快速開關的2.2MHz閘極驅動器，相較於既有解決方案，其能協助工程師實現電源密度加倍、效率高達99%，且電磁尺寸縮小59% |
 |
力推5G！恩智浦全新氮化鎵晶圓廠年底產能將滿載 (2020.10.12)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）宣佈正式啟用其位於美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的150毫米（6吋）射頻氮化鎵（Gallium Nitride；GaN）晶圓廠，此為美國境內專注於5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠 |
|
ST收購氮化鎵創新企業Exagan股權 擴大高頻大功率開發計畫 (2020.03.11)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）已簽署收購法國氮化鎵（GaN）創新企業Exagan多數股權的併購協議。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務 |
|
意法半導體與台積電合作加速市場採用氮化鎵產品 (2020.02.24)
橫跨多重電子應用領域的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）與全球專業積體電路製造服務領導者台積公司攜手合作加速氮化鎵（Gallium Nitride；GaN）製程技術的開發，並將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場 |
|
法商艾斯剛在台設立銷售中心 加速氮化鎵半導體充電器與伺服器市場 (2018.10.18)
氮化鎵(GaN)半導體技術供應商Exagan，今日在台灣舉行台灣艾斯剛有限公司成立開幕典禮，台灣艾斯剛將做為銷售與產品應用中心，以提供氮化鎵半導體的解決方案，加速亞洲市場的應用與開發 |
|
貿澤電子供貨Analog Devices HMC8205 GaN功率放大器 (2018.03.06)
半導體與電子元件、新產品引進 (NPI) 代理商貿澤電子即日起開始供應Analog Devices的HMC8205氮化鎵 (GaN) 功率放大器。此高整合度的寬頻MMIC射頻(RF)放大器涵蓋300 MHz至6 GHz頻譜，能支援脈衝或連續波(CW)的無線基礎架構、雷達、公共行動無線電以及通用型放大測試設備等應用的系統設計人員帶來高效益 |
|
MACOM和意法半導體將矽上氮化鎵導入主流射頻市場和應用 (2018.02.21)
MACOM和意法半導體（ST）宣佈一份矽上氮化鎵GaN 合作開發協議。據此協定，意法半導體為MACOM製造矽上氮化鎵射頻晶片。除了擴大MACOM之貨源外，該協議還授權意法半導體在手機、無線基地台和相關商用電信基礎建設之外的射頻市場製造、銷售矽上氮化鎵產品 |
 |
前瞻性技術：加速GaN技術應用 (2017.04.26)
GaN將在功率密集的應用中大展身手，它能夠在保持或提升效率的同時，使電源裝置變得更小巧。 |
|
充電轉接器更高效率／小體積 Dialog推GaN功率IC (2016.08.25)
隨著智慧型手機、平板電腦中的應用程式推陳出新，消費者越來越依賴行動裝置中的社交軟體，另一方面，前陣子手機遊戲Pokemon Go（寶可夢Go）在台正式上線，這些應用程式對於功耗的需求相當強烈，消費者無不希望電源補給速度可更加提升 |
|
一起實現氮化鎵的可靠運行 (2016.06.24)
我經常感到不解，為何我們的產業不在加快氮化鎵 (GaN) 電晶體的部署和採用方面增強合作力度；畢竟，浪潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不甚令人滿意 |
|
是德科技與三安集成策略合作推出HBT、pHEMT製程設計套件 (2016.05.03)
是德科技軟體和服務可協助三安集成加速完成HBT和pHEMT製程PDK的開發製作可靠、高功率的先進pHEMT及HBT元件，縮短產品上市時間。
是德科技（Keysight）日前宣佈與中國廈門三安集成簽署合作備忘錄（MoU），雙方將以是德科技先進設計系統（ADS）軟體為基礎，共同合作開發適用於三安集成的HBT和pHEMT製程的先進製程設計套件（PDK） |
|
宜普電源推出全新增?型氮化鎵功率電晶體 (2015.08.27)
宜普電源（EPC）推出EPC2039功率電晶體。該產品是一種具備高功率密度的增?型氮化鎵（eGaN）功率電晶體，其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在閘極上施加5 V電壓時的最大阻抗? 22 微歐姆 |
|
英飛凌與Panasonic為常關型600V氮化鎵功率半導體建立雙供應源 (2015.03.17)
英飛凌科技（Infineon）與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型（強化模式）矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品，並整合至英飛凌的表面黏著裝置（SMD）封裝 |
|
宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2015.01.23)
宜普電源轉換公司（EPC）推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增強型單片式氮化鎵半橋元件。可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率。在於透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙，使電晶體的占板面積減少50% |
|
宜普電源推出450 V增強型氮化鎵功率電晶體 (2015.01.15)
具備４奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(eGaN FET)並適合於高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。
宜普電源（EPC）推出450 V並通常處於關斷狀態的增?型功率電晶體（EPC2027），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度 |
|
宜普展示採用氮化鎵場效應電晶體可提高無線電源傳送應用的效率達20% (2014.03.17)
矽基增強型功率氮化鎵(eGaN)功率電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於亞太區業界技術研討會進行三場技術演講。
於3月18日在中國上海舉行的兩場業界研討會中，宜普公司技術專家將與您分享更高效的氮化鎵（GaN）功率器件如何替代陳舊的矽MOSFET器件，並如何在無線電源傳送（WiPo）應用取得更高性能 |
