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TI推出最新GaN技術 攜手台達打造高效能伺服器電源供應器
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2021年09月26日 星期日

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德州儀器(TI)宣佈,其氮化鎵(GaN)技術和 C2000 即時微控制器(MCU),輔以台達的電力電子核心技術,為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器(PSU)。與採用傳統架構的企業伺服器電源供應器相比,台達研發的伺服器電源供應器功率密度可提高80%,效率提升1%。

台達為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案,同時也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統的領導廠商,產品應用範圍廣泛,包括資通訊、電動車充電與工業電源等。TI多年來致力於半導體和電腦相關技術,投入氮化鎵技術的開發、應用已長達十年,更提供 C2000 微控制器等即時控制解決方案,是台達長期合作的重要夥伴。此次TI利用創新的半導體製程製造矽基氮化鎵(GaN-on-silicon)技術與積體電路,協助台達等公司打造差異化應用,提升全球資料中心電源效率。

德州儀器高壓電源事業部副總裁Steve Lambouses表示,德州儀器致力於透過半導體技術使電子產品的價格更加實惠,讓世界更加美好。德儀氮化鎵技術將效率更高、體積更小且更為可靠的解決方案推升至了全新境界。除了投資技術發展之外,TI 對內更是強化製造生產以便為台達以及其他客戶等提供支援,同時也能夠迅速擴展氮化鎵等新興技術的規模。」

台達電源及系統事業群(PSBG)副總裁暨總經理尹鏇博表示,台達多年來專注於提供高能源效率的產品與解決方案,與夥伴及客戶密切合作,以降低碳足跡。這也促使長期與 TI 等業界領先公司合作,持續研發並應用新一代技術。氮化鎵已突破研發門檻,從未來科技轉變為目前可採用的技術,將為電源供應系統帶來新的設計方式,並提高產品效能和功率,尤其適合伺服器電源供應器。目標是使能源效率超越 98%、功率密度突破每立方英寸 100 瓦特(W/inch3)。

整合氮化鎵積體電路可提升效率、功率密度和系統可靠性

‧ 在高壓、高功率工業電源應用方面,TI 的氮化鎵場效電晶體(FET)整合了快速切換驅動器,以及內部保護與溫度感測功能,可在有限電路板空間內達成更高效能表現。。

‧ 積體電路均通過4 千萬小時以上的可靠性測試,及超過 5 百萬千瓦小時的功率轉換測試,為工程師提供嚴謹可靠性數據,並可以氮化鎵打造體積更小、重量更輕、效率更高的電源系統。

‧ TI C2000T 即時微控制器與氮化鎵電源解決方案搭配使用可提供多重優勢,例如複雜與時效性處理能力、精確控制、軟體和周邊產品可擴充性等。此外,這些微控制器可支援不同電源設計拓撲與高切換頻率,盡可能提升電源效率,徹底發揮氮化鎵伺服器電源解決方案的潛力。

TI和台達將於2021年9月27日至29日的TI Live! Tech Exchange共同舉辦主題為〈GaN技術的影響及其對未來工業設計的意義〉的線上技術交流研討會。活動中,TI 專家將展開一系列的專題演講、論壇、技術會議與產品演示,討論電源管理、車用半導體、即時控制、視覺感測與設計趨勢等內容。欲知詳細資訊,請參閱網站ti.com/techexchange。

關鍵字: GaN  TI(德州儀器, 德儀
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