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Silicon Labs推出基于CMOS隔离技术的客制化固态继电器解决方案
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年09月26日 星期一

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Silicon Labs (芯科科技) 近日推出基于CMOS技术的突破性隔离型场效电晶体(FET)驱动器系列产品,使开发人员能够自行选择特定应用和高容量之FET来替代过时的机电继电器(EMR)和基于光耦合器的固态继电器(SSR)。新型Si875x系列产品是首款隔离型FET驱动器,所运用的整合式CMOS隔离闸极传输电源消除了一般所需的隔离次级侧开关电源,因而可减少系统成本和复杂性。当与分离式FET搭配时,Si875x驱动器提供卓越的EMR/SSR代替解决方案,应用范围包括电机和阀门控制器、HVAC继电器、电池监控、AC主线路与通讯交换器、HEV/EV汽车充电系统和其他工业和汽车等。

Si875x隔离型FET驱动器系列产品之替代有效降低工业和汽车继电器 应用的成本和复杂性。
Si875x隔离型FET驱动器系列产品之替代有效降低工业和汽车继电器 应用的成本和复杂性。

在开关应用中,传统上开发人员使用EMR和基于光耦合器的SSR,但这两种技术都有其限制。 EMR昂贵、速度慢、笨重并会产生杂讯,而EMR的这些缺点使得SSR的使用达到两位数的成长率,但即使如此,其仍面临诸多挑战。基于光耦合器的SSR的局限性诸如LED老化而缩短使用寿命、较高温时性能和可靠性的降低、以及较差的杂讯抗干扰性。另外,其只能选择受限的整合式FET,不利于性能、成本和功耗。

Silicon Labs基于CMOS的Si875x隔离型FET驱动器提供了选择,其能降低SSR或EMR应用的系统成本和功耗,增强系统性能。由于Si875x驱动器不使用LED或光学元件,因此可于整个使用寿命和温度范围提供极佳稳定性。极小封装的Si875x元件提供完全无声的开关特性,因此是笨重EMR的理想代替解决方案,这些EMR通常受限于电子开关杂讯、老化问题,以及量产所带来的挑战。

Si875x元件透过额定10.3V、极低1mA输入电流和1.1ms接通时间来驱动FET闸极。将输入电流增加到10mA更可实现极快的94μs接通时间。独特的电源优化选项能够快速获得最大导通电流,之后一旦选配的外部电容放电时,静态保持电流最高可降低至最大导通电流的90% 。弹性的2.25至5.5V的输入侧电压支援无缝连接到低功率控制器。 Si875x驱动器也具备选配的米勒钳制能力,防止外部FET的意外开启。

Si875x元件具备2.5kVrms隔离等级,能够操作于整个工业和汽车级温度范围(高达+125度)内,设计并符合严格的UL、CSA、VDE、CQC标准。多功能输入提供数位CMOS接脚控制(Si8751元件)或二极体模拟控制(Si8752元件)以符合目标应用所需,同时,弹性的输出亦支援AC和DC负载配置。

Silicon Labs电源产品副总裁Ross Sabolcik表示:「藉由将功能强大、可靠的CMOS式隔离技术和透过隔离闸极传输电源整合的创新能力,Silicon Labs的Si875x驱动器为陈旧的EMR和光耦式SSR提供了不可或缺的替代解决方案。新型Si875x系列产品为开发人员选择应用所需、具备成本效益的FET提供了极高度弹性,也为最先进的固态开关提供最简单的转换方案。」

Si875x隔离型FET驱动器样品现已供货,并计画于2016年11月量产。 Si875x元件支援小型SOIC-8封装、工业级(摄氏-40度至+105度)或汽车级(摄氏-40度至+125度)环境温度工作范围选项。 Si8751-KIT(数位输入)和Si8752-KIT(LED模拟输入)评估套件现已供货。 (编辑部陈复霞整理)

产品特色

‧基于CMOS的隔离型SSR解决方案,支援特定应用的FET

‧杂讯抑制能力,高可靠性和2.5kVrms隔离等级

‧高压条件下的长使用寿命(1000V条件下可达100年)

‧高效开关:10.3V闸极电压,仅仅1mA输入电流

‧2.25至5.5V宽广输入电压更节能

‧独特接脚特性可达到功耗/开关时间之最佳权衡

‧米勒钳制可防止外部FET意外开启

‧小型SOIC-8封装整合隔离和用于低功耗应用的功率电容器

‧AEC-Q100认证的汽车级元件选项

關鍵字: 固态继电器  CMOS  隔离技术  晶体管  光耦合器  Silicon Labs  芯科科技  电子逻辑组件 
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