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安森美推出全新650V碳化矽MOSFET系列 满足车规与工规应用需求
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2021年02月18日 星期四

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安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET装置,适用於对功率密度、能效和可靠性要求极高的应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、伺服器电源(PSU)、电信和不断电供应系统(UPS)等应用中实现显着的更隹性能。

安森美半导体全新系列的碳化矽MOSFET装置,具备优异的开关和更高的可靠性,在各种挑战性应用中提高功率密度。
安森美半导体全新系列的碳化矽MOSFET装置,具备优异的开关和更高的可靠性,在各种挑战性应用中提高功率密度。

安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基於一种新的宽能隙半导体,提供比矽更胜一筹的开关性能和更好的热性能,因而提高系统级能效、功率密度,及减少电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650V击穿电压实现同类最隹的品质因数Rsp(Rdson* area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装,具有市场最低的Rdson(12mOhm)。这技术还优化能量损失品质因数,从而优化了汽车和工业应用中的性能。

内置门极电阻(Rg)为设计人员提供更大的灵活性,而无需使用外部门极电阻人为地降低装置的速度。 更高的功率变动、雪崩能力和短路稳健性都有助於增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的装置使用寿命。

安森美半导体先进电源部门资深??总裁Asif Jakwani在发布新品时表示:「在现代电源应用中,如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源、企业运算及电信等其他应用,高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的矽开关技术显着提高性能,使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。增强的性能降低损耗,从而提高能效,减少热管理需求,并降低电磁干扰(EMI)。使用这些新的SiC MOSFET的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。」

新装置均为表面贴装,并提供产业标准封装类型,包括TO247和D2PAK。

關鍵字: MOSFET  碳化硅  安森美 
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