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ST推出隔離式閘極驅動器 可安全控制碳化矽MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2021年03月30日 星期二

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半導體供應商意法半導體(ST)宣布推出STGAP系列隔離式閘極驅動器的最新產品STGAP2SiCS,可安全控制碳化矽(SiC)MOSFET,且作業電源電壓高達1200V。

意法半導體推出隔離式閘極驅動器,可安全控制碳化矽MOSFET。
意法半導體推出隔離式閘極驅動器,可安全控制碳化矽MOSFET。

STGAP2SiCS能夠產生高達26V的閘極驅動電壓,將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提升到15.5V,滿足SiC MOSFET開關二極體正常導電要求。如果電源電壓低引起驅動電壓太低,UVLO保護機制將確保MOSFET處於關斷狀態,以免產生過多的耗散功率。這款驅動器有雙兩個輸入腳位,讓設計人員可以定義閘極驅動訊號的極性。

STGAP2SiCS在輸入和閘極驅動輸出之間設計6kV電氣隔離,電隔離有助於確保消費性電子和工業設備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅動能力使其適用於高階家用電器、工業驅動裝置、風扇、電磁爐、電焊機、UPS不斷電供應系統等設備的高功率轉換器、電源和逆變器。

新產品有兩種不同的輸出配置。第一種配置是提供獨立的輸出腳位,可使用專用的閘極電阻獨立優化通斷時間。第二種配置適用於高頻硬開關,只有一個輸出腳位和有米勒鉗位元電路,米勒鉗位元用於限制SiC MOSFET閘極-源極電壓擺動,防止開關不必要導電,並加強開關的可靠性。輸入電路相容最低3.3V的CMOS/TTL邏輯電平訊號,可以輕鬆地與各種控制器晶片連線。

STGAP2SiCS具有待機模式,有助於降低系統功耗,並具有內部保護功能,包括可防止低壓部分和高壓驅動通道交叉導電的硬體互鎖和熱關斷。低高壓電路之間的傳播延遲精確配對,防止週期失真,最大程度地減少電能損耗。整體傳播延遲小於75ns,精確的脈衝寬度調變(PWM)控制支援高開關頻率。

STGAP2SiCS採用寬體SO-8W封裝,在有限的面積內確保8mm的爬電距離。

關鍵字: 閘極驅動器  碳化矽  MOSFET  ST(意法半導體
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