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因特网联合公会 - W3C

在1994年10月,网络的创造者Tim Berner-Lee,在麻省理工学院的计算机科学实验室里,成立了因特网联合公会,也就是现在的World Wide Web Consortium。
Microchip扩大氮化??(GaN)射频功率元件产品组合 (2021.12.02)
Microchip今日宣布扩大其氮化??(GaN)射频(RF)功率元件产品组合,推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路(MMIC)和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率(PAE)和高线性度,为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准
ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间 (2021.11.04)
意法半导体(STMicroelectronics)新推出之STGAP2SiCSN是为控制碳化矽MOSFET而优化的单通道闸极驱动器,其采用了节省空间的窄体SO-8封装,具备稳定的效能和精准的PWM控制。 SiC功率技术被广泛使用於提升功率转换效率,而STGAP2SiCSN SiC驱动器可简化节能型电源系统、驱动和控制电路设计以节省空间,并加强稳定性和可靠性
「2021电源管理与电力设计研讨会」特别报导 (2021.10.27)
爱德克斯:高整合电驱系统当道 电机与电池模拟测试是关键 电动车产业正如火如荼的发展,包含台湾在内,各国政府也透过法令与补贴政策,全力推动电动车市场的成形
ROHM荣获UAES SiC功率解决方案优先供应商殊荣 (2021.10.27)
半导体制造商ROHM荣获中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司(UAES)的SiC功率解决方案优先供应商殊荣。 UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来,双方在采用SiC功率元件的车电应用产品开发方面建立了合作夥伴关系
2021年全球GaN功率厂出货排名预测 纳微半导体以29%居冠 (2021.09.30)
根据TrendForce研究显示,受惠於消费性快充产品需求快速上升,如手机品牌小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头,凭藉高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐,截至目前笔电厂商也有意跟进,使GaN功率市场成为第三代半导体产业中产值上升最快速的类别,预估2021年营收将达8,300万美元,年增率高达73%
中央大学携手是德 建立第三代半导体研发暨测试开放实验室 (2021.09.28)
是德科技(Keysight)携手国立中央大学光电科学研究中心(National Central University Optical Sciences Center),共同合作提高了GaN、SiC应用研发及测试验证之效率,并加速5G基建及电动车创新之步伐
TI推出最新GaN技术 携手台达打造高效能伺服器电源供应器 (2021.09.26)
德州仪器(TI)宣布,其氮化??(GaN)技术和 C2000 即时微控制器(MCU),辅以台达的电力电子核心技术,为资料中心开发设计高效、高功率的企业用伺服器电源供应器(PSU)
意法半导体推出单晶片 GaN 闸极驱动器 (2021.09.10)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大,上下桥输出讯号传播延迟为45ns,能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。 STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V,还适用於驱动N沟道矽基MOSFET,在驱动GaN元件时,可以灵活地施加最高6V闸极━源极电压(Gate-Source Voltage;VGS),确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准
应用材料助碳化矽晶片制造 加速升级至200毫米晶圆 (2021.09.09)
应用材料公司推出新产品,协助全球领先的碳化矽 (SiC) 晶片制造商,从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造,增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量,满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求
英飞凌携手Panasonic 共同加速650 V GaN功率装置技术发展 (2021.09.06)
英飞凌科技和 Panasonic 公司,已针对共同开发及生产第二代 (Gen2) 氮化?? (GaN) 技术签订合约,基於已获认可接受的GaN技术,Gen2技术将提供更高效率和功率密度水准。 为了因应市场需求,Gen2 将会开发为 650 V GaN HEMT
联华电子与??邦科技 经股份交换建立策略合作关系 (2021.09.06)
联华电子、宏诚创投(联电持股100%子公司)及??邦科技董事会今日分别通过股份交换案,联华电子及??邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。 联电以先进制程技术提供晶圆制造服务,为IC产业各项应用产品生产晶片,并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案,以符合客户的晶片设计需求,所提供方案横跨14奈米到0.6微米之制程技术
新能源车需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR达78% (2021.09.05)
TrendForce表示,2021年随着各国於5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升,驱使如基地台、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增,使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲
盛美发布首台晶圆级封装和电镀应用电镀设备 (2021.08.31)
盛美半导体设备发布了新产品Ultra ECP GIII电镀设备,以支援化合物半导体(SiC, GaN)和砷化??(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金(Au)镀到背面深孔制程中,具有更好的均匀性和台阶覆盖率
拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美国时间8月25日宣布已达成最终协定,根据该协定,安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。 GTAT 成立於 1994 年,在包括 SiC 在内的晶体成长方面拥有丰富的经验
ST和Exagan携手开启GaN发展新章节 (2021.08.17)
GaN的固有特性,让元件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,亦即相较於同尺寸的矽基元件,GaN可处理更大的负载、效能更高,而且物料清单成本更低。
边缘运算推升伺服器需求 英飞凌让电源供应器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的数据量正在加速爆走中,尤其是物联网和边缘运算应用被逐步导入市场之後,各种机器与设备的资料和数据,就日夜不停地被记录与传送到云端资料中心与伺服器之中,直接推升了各个领域对於伺服器的建置需求
意法半导体制造首批8寸碳化矽晶圆 (2021.08.13)
意法半导体(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8寸(200mm)碳化矽(SiC)晶圆,这些晶圆将用於生产下一代功率电子晶片产品原型。将SiC晶圆升级到8寸代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计画获得重要阶段性的成功
科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14)
科锐 (Cree, Inc.,)宣布,与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作,结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化??(GaN-on-SiC)中频功率放大器,和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin),增加了 5G 基地台的无线容量,可支援更多人同时使用,并且提高了资料传输速度
恩智浦将氮化??应用於5G多晶片模组 (2021.07.07)
降低能源消耗(energy consumption)为电信基础设施的主要目标之一,其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化??可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%,比公司上一代模组高出8%
ST全新车规GaN产品系列 整合车载充电器、自驾LiDAR等智慧电路 (2021.05.26)
意法半导体(ST)推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化??(GaN)解决方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解决方案内整合功率级和智慧电路,满足汽车电动化趋势下的创新需求。 透过意法半导体於车用电子应用研发的丰富经验、在智慧功率技术、宽能隙半导体材料和封装技术的优势和创新成果

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9 拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced
10 ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间

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